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IPD60R600P6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPD60R600P6 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R600P6

IPD60R600P6概述


    产品简介


    IPD60R600P6 N-Channel MOSFET Transistor
    IPD60R600P6是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、通信设备等领域。该产品具有极低的静态导通电阻(RDS(on)≤0.6Ω),能够实现快速开关操作,满足现代电力电子系统的需求。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=1mA | 600 | - | - | V |
    | VGS(th) | 门阈电压 | VDS=VGS; ID=0.2mA | 3.5 | 4.5 | - | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=10V; ID=2.4A | - | 0.6 | - | Ω |
    | IGSS | 门源漏电流 | VGS=20V; VDS=0V | - | 0.1 | - | μA |
    | IDSS | 漏源漏电流 | VDS=600V; VGS=0V | - | 1 | - | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 | IF=3A, VGS = 0V | - | 0.9 | - | V |
    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |

    | VDSS | 漏源电压 | 600 | V |
    | VGS | 门源电压 | ±20 | V |
    | ID | 持续漏电流 | 7.3 | A |
    | IDM | 单脉冲漏电流 | 18 | A |
    | PD | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 63 | W |
    | Tj | 最大工作结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度范围 | -55~150 | ℃ |
    热特性
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |

    | Rth(j-c) | 结至外壳热阻 | 2 | ℃/W |
    | Rth(j-a) | 结至环境热阻 | 62 | ℃/W |

    产品特点和优势


    - 极低的静态导通电阻 (RDS(on)≤0.6Ω):确保高效的能量转换,降低损耗。
    - 快速开关:适用于高频率的应用场合。
    - 100%雪崩测试:确保可靠性及耐用性。
    - 最小的批间差异:提高设备性能的一致性。
    - 耐高温:最高工作结温可达150℃,适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPD60R600P6广泛应用于开关电源、电机驱动、通信设备等。例如,在开关电源中作为主控管,其低损耗特性可以显著提升电源效率;在电机驱动中提供高速切换能力,减少能量浪费。
    使用建议
    - 散热设计:由于IPD60R600P6的热阻较大(Rth(j-a)=62 ℃/W),在使用时需要考虑良好的散热设计以避免过热损坏。
    - 电路布局:合理布线,避免长走线引起的寄生电感和电容,从而提高稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD60R600P6可与其他标准接口的电子元器件良好兼容,如其他常用的N沟道MOSFET。
    - 支持和维护:ISC公司提供了详细的技术文档和支持服务,以确保客户能顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的散热措施?
    解决方案:根据具体的应用环境选择合适的散热器,必要时可咨询专业工程师进行热仿真计算。
    2. 问题:在高温环境下运行是否会损坏设备?
    解决方案:通过有效的散热设计可以避免过温损坏。确保散热系统的正常工作,避免设备在超出最大工作结温范围内长期运行。

    总结和推荐


    IPD60R600P6 N-Channel MOSFET Transistor凭借其低导通电阻、快速开关能力和出色的热性能,非常适合于要求高效和稳定工作的电力电子系统。其广泛应用范围和卓越的性能使其在市场上具备极强的竞争优势。我们强烈推荐这款产品用于各类高端电力电子应用场合。
    ISC半导体(www.iscsemi.cn)提供详细的技术文档和支持,确保用户能够充分发挥IPD60R600P6的优势。

IPD60R600P6参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 -

IPD60R600P6厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD60R600P6数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD60R600P6 IPD60R600P6数据手册

IPD60R600P6封装设计

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