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IRF840S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF840S TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRF840S

IRF840S概述


    产品简介


    ISC N-Channel MOSFET Transistor IRF840S是一款高性能的N沟道功率MOSFET晶体管,专为高电压、高速开关电源应用设计。该产品适用于开关调节器、转换器、电磁阀驱动器和继电器驱动器等领域。其主要功能是实现高效率的电力控制和转换,在现代电力电子设备中具有广泛的应用前景。

    技术参数


    - 绝对最大额定值 (Ta=25℃)
    - VDSS (Drain-Source Voltage): 500 V (最小)
    - VGS (Gate-Source Voltage): ±20 V (连续)
    - ID (Drain Current): 8 A (连续)
    - IDM (Drain Current - 单脉冲): 32 A
    - PD (Total Dissipation): 125 W @ TC=25℃
    - Tj (Max. Operating Junction Temperature): -55~150 ℃
    - Tstg (Storage Temperature): -55~150 ℃
    - 热特性
    - Rth j-c (Thermal Resistance, Junction to Case): 1.0 ℃/W
    - Rth j-a (Thermal Resistance, Junction to Ambient): 62 ℃/W
    - 电气特性
    - V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage): 500 V (VGS=0; ID=0.25mA)
    - VGS(th) (Gate Threshold Voltage): 2~4 V (VDS=VGS; ID=0.25mA)
    - RDS(on) (Drain-Source On-Resistance): 0.85 Ω (VGS=10V; ID=4.8A)
    - IGSS (Gate-Body Leakage Current): ±100 nA (VGS=±20V; VDS=0)
    - IDSS (Zero Gate Voltage Drain Current): 25 μA (VDS=500V; VGS=0)
    - VDS (Forward On-Voltage): 2.0 V (IS=8A; VGS=0)

    产品特点和优势


    1. 高击穿电压:500V的击穿电压使得IRF840S适合用于高压应用场合。
    2. 低导通电阻:最大0.85Ω的导通电阻有助于减少功耗并提高效率。
    3. 高可靠性:100%雪崩测试确保了产品的耐用性和可靠性。
    4. 低批次差异:批次间的差异极小,确保了产品性能的一致性和稳定性。
    5. 广泛的工作温度范围:支持-55~150℃的工作温度范围,适用范围广。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关调节器和转换器:IRF840S可应用于高效率的开关电源中,如开关调节器和转换器。
    - 电磁阀和继电器驱动器:由于其高电流能力和耐压性,IRF840S特别适用于驱动电磁阀和继电器。
    使用建议
    - 散热管理:鉴于其较高的总功耗(125W),需要良好的散热措施来保证正常运行。
    - 保护电路:使用合适的保护电路,如TVS二极管和限流电阻,以避免过压和过流损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与其他标准N沟道MOSFET晶体管兼容,但需注意引脚布局和参数匹配。
    - 技术支持:ISC公司提供详细的技术文档和支持服务,包括设计指南和故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 如何避免器件损坏?
    - A1: 确保操作电压和电流不超过额定值,并使用适当的保护电路(如TVS二极管)。
    - Q2: 为什么我的设备发热严重?
    - A2: 检查散热系统是否足够高效,考虑增加散热片或改进冷却方式。
    - Q3: 寿命问题如何处理?
    - A3: 确保工作温度在允许范围内,并定期进行维护检查。

    总结和推荐


    综上所述,ISC N-Channel MOSFET Transistor IRF840S是一款高性能且可靠的电子元器件,具备低导通电阻、高击穿电压和高可靠性等显著优点。它适用于多种高压和高速开关应用,但在使用时需注意散热和保护措施。我们强烈推荐此产品,尤其是在需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。

IRF840S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通用封装 TO-263

IRF840S厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRF840S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRF840S IRF840S数据手册

IRF840S封装设计

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