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IRF530

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 37nC 2个N沟道 100V 57mΩ@ 2.5V,15.5A 17A TO-220
供应商型号: IRF530 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRF530

IRF530概述


    产品简介


    产品类型
    IRF530 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有优异的开关特性和低导通电阻。它广泛应用于电机驱动、直流到直流转换器、电源开关和电磁阀驱动等领域。
    主要功能
    IRF530 在栅源电压为 10V 时,最大导通电阻仅为 0.18Ω,能够提供高达 14A 的连续漏极电流。此外,其较高的耐压能力(100V)使其在多种电力控制和转换场合中表现出色。
    应用领域
    - 电机驱动
    - 直流到直流转换器
    - 电源开关
    - 电磁阀驱动

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |

    | VDSS | 漏源电压 | 100 | V |
    | VGS | 栅源电压(连续) | ±20 | V |
    | ID | 漏极电流(连续) | 14 | A |
    | IDM | 漏极电流(单脉冲) | 56 | A |
    | PD | 总耗散(室温) | 75 | W |
    | TJ | 最大结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度范围 | -55~150 | ℃ |
    热阻特性
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |

    | Rth j-c | 结到外壳热阻 | 1.67 | ℃/W |
    电气特性
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS= 0; ID= 0.25mA | 100 | - | V |
    | VGS(th) | 门限电压 | VDS= VGS; ID= 0.25mA | 2.0 | 4.0 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS= 10V; ID= 8A | - | 0.18 | Ω |
    | IGSS | 门体泄漏电流 | VGS= ±20V; VDS= 0 | - | ±0.5 | μA |
    | IDSS | 零门电压漏极电流 | VDS= 100V; VGS= 0 | - | 0.25 | mA |
    | VSD | 正向导通电压 | IS= 14A; VGS= 0 | - | 2.5 | V |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:IRF530 在栅源电压为 10V 时的漏源导通电阻仅为 0.18Ω,这意味着在高电流应用中损耗更低。
    2. 高耐压:100V 的最大漏源电压使其适用于各种高压应用场景。
    3. 可靠性高:所有产品经过100%雪崩测试,且具有最小批次间差异,保证了稳定的性能和可靠的运行。
    4. 广泛的应用范围:适用于多种电力控制和转换场合,如电机驱动、直流到直流转换器等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在电机驱动系统中,IRF530 可以作为高效能的开关器件,用于驱动高电流负载。例如,在电动汽车的牵引逆变器中,IRF530 能够有效提高系统的效率和稳定性。
    使用建议
    1. 散热管理:由于其较高的耗散功率(75W),在高电流应用中需要特别注意散热,可采用外部散热片或其他有效的冷却方法。
    2. 保护电路:为了防止过电流或过电压损坏,建议在电路中加入适当的保护电路,如保险丝或过压保护二极管。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRF530 与大多数标准逻辑电平电路兼容,易于集成到现有系统中。但请注意,具体应用可能需要额外的驱动电路或保护措施。
    支持和维护
    产品供应商 ISC 提供详细的技术文档和客户支持,包括设计指导和技术咨询服务。如果遇到任何问题,可以随时联系他们的技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:IRF530 导通电阻过高。
    - 解决方案:确保栅源电压达到 10V,检查电路连接和驱动信号是否正常。
    2. 问题:长时间使用后发热严重。
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或使用强制风冷。

    总结和推荐


    IRF530 N 沟道 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种高压电力控制和转换应用。其低导通电阻和高耐压能力使其在效率和可靠性方面表现优异。强烈推荐在电机驱动、直流到直流转换器等高电流应用中使用。
    总体来说,IRF530 是一种优秀的产品,适合工程师和设计师在多种工业和商业应用中使用。

IRF530参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 17A
栅极电荷 37nC
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@ 2.5V,15.5A
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220

IRF530厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRF530数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRF530 IRF530数据手册

IRF530封装设计

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