处理中...

首页  >  产品百科  >  HYG035N10NS2B

HYG035N10NS2B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HYG035N10NS2B TO-263-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG035N10NS2B

HYG035N10NS2B概述

    HYG035N10NS2P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HYG035N10NS2P/B 是一款 N-沟道增强型 MOSFET,适用于功率开关应用、DC-DC 转换器和电机控制等场景。此器件具有卓越的性能,可在高达 100V 的电压下工作,额定电流为 180A。其低导通电阻(典型值 3.2mΩ)确保了高效的能量转换效率,使其成为高性能电源管理的理想选择。

    技术参数


    HYG035N10NS2P/B 的关键参数如下:
    - 最高耐压 (VDSS):100V
    - 最大栅源电压 (VGSS):±20V
    - 连续源电流 (IS):180A(环境温度 25°C)
    - 脉冲源电流 (IDM):490A(环境温度 25°C)
    - 最大功耗 (PD):220W(环境温度 25°C)
    - 热阻 (RθJC):0.68°C/W
    - 反向恢复电荷 (Qrr):192nC
    - 总栅极电荷 (Qg):115nC
    - 反向转移电容 (Crss):189pF
    - 输入电容 (Ciss):7270pF
    - 输出电容 (Coss):2420pF
    - 开关时间 (trr):78ns

    产品特点和优势


    HYG035N10NS2P/B 具有以下显著特点:
    - 低导通电阻 (RDS(ON)):典型值为 3.2mΩ,确保高效能和低损耗。
    - 高可靠性:通过 100% 雪崩测试,保证其在极端条件下的可靠运行。
    - 无铅且环保:符合 RoHS 标准,不含卤素,对环境友好。
    - 广泛的应用领域:适用于多种高功率应用,如电机控制、电源转换等。

    应用案例和使用建议


    HYG035N10NS2P/B 可应用于以下场景:
    - 功率开关:适用于各种高功率设备中的开关电路。
    - DC-DC 转换器:用于提高转换效率和降低能耗。
    - 电机控制:适用于工业电机和电动机的控制电路。
    使用建议:
    - 散热设计:为了确保 MOSFET 在高温下的稳定工作,应合理设计散热系统,特别是当环境温度较高时。
    - 驱动电路:考虑使用合适的栅极驱动电路,以确保快速和稳定的开关操作,减少开关损耗。
    - 保护措施:使用过流和过温保护电路,防止器件因过载而损坏。

    兼容性和支持


    HYG035N10NS2P/B 可与标准的 TO-220FB-3L 和 TO-263-2L 封装兼容。制造商提供了详细的技术支持和客户服务,包括全球销售和服务(sales@hymexa.com),技术咨询(Technology@hymexa.com)以及官方网站(www.hymexa.com)。此外,Huayi Microelectronics 提供多种可靠性测试,确保产品质量和稳定性。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能会遇到的问题及解决方案:
    - 问题:MOSFET 过热
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或风扇,确保良好的空气流通。
    - 问题:MOSFET 损坏
    - 解决方案:检查驱动电路和保护电路,确保其正确配置,避免过流和过压情况。
    - 问题:导通电阻异常
    - 解决方案:检查焊接质量和栅极驱动信号,确保良好接触和正确的栅极驱动电压。

    总结和推荐


    HYG035N10NS2P/B 是一款高性能的 N-沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性、无铅环保等特点,适用于多种高功率应用。其卓越的电气特性和广泛的应用范围使其在市场上具有强大的竞争力。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用该产品。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系 Huayi Microelectronics 的技术支持团队(Technology@hymexa.com)。

HYG035N10NS2B参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-263-2

HYG035N10NS2B厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG035N10NS2B数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG035N10NS2B HYG035N10NS2B数据手册

HYG035N10NS2B封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 2.844
4000+ ¥ 2.7255
库存: 20000
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 2275.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336