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HY4504W

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 336W(Tc) 4V@ 250uA 40V 2.4mΩ@ 10V,125A 250A TO-247A-3L
供应商型号: HY4504W
供应商: 期货订购
标准整包数: 330
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HY4504W

HY4504W概述

    HY4504W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    HY4504W/A 是一款高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要适用于逆变系统中的电源管理。该器件以其高耐压、低导通电阻及高可靠性等特点,在各种工业和消费电子产品中得到广泛应用。

    2. 技术参数


    HY4504W/A 的关键技术参数如下:
    - 最大耐压:40V(VDSS)
    - 连续电流:250A(TC=25°C);172A(TC=100°C)
    - 导通电阻:2.0mΩ(VGS=10V)
    - 最高结温:175°C
    - 热阻:Junction-to-Case 0.47°C/W;Junction-to-Ambient 40°C/W
    - 封装类型:TO-247-3L 和 TO-3P-3L
    - 浪涌能量:单脉冲,L=0.3mH,EAS(Avalanche Energy)

    3. 产品特点和优势


    HY4504W/A 的主要优势包括:
    - 高可靠性:设计坚固可靠,适用于恶劣环境。
    - 环保:无卤素且符合RoHS标准。
    - 低导通电阻:2.0mΩ(典型值),有助于降低功耗和提高效率。
    - 大电流承载能力:250A(连续电流)。
    - 卓越的热性能:有效的热阻设计可延长使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    HY4504W/A 广泛应用于逆变系统、电机驱动、开关电源等场合。建议在应用时注意散热设计以确保长期稳定运行,特别是当环境温度较高时。

    5. 兼容性和支持


    HY4504W/A 与市面上主流的电路板和系统兼容良好。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型、技术支持、售后维修等服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:长时间工作后,器件过热导致失效。
    - 解决办法:增加外部散热措施,如安装散热片或风扇,合理规划电路布局以提高热传导效率。

    - 问题二:器件在高电压下易损坏。
    - 解决办法:正确选用外围保护元件,如TVS二极管,以保护器件免受瞬态高压冲击。

    7. 总结和推荐


    HY4504W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET 在设计上考虑了高效能和可靠性,是一款优秀的电源管理器件。对于需要处理高电流、高耐压的应用场合,这款器件是理想的选择。强烈推荐用于需要高可靠性、低损耗的设计项目中。

HY4504W参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4mΩ@ 10V,125A
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 250A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 336W(Tc)
栅极电荷 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
配置 -
通用封装 TO-247A-3L

HY4504W厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HY4504W数据手册

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HY4504W封装设计

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