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BC847C

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 封装:SOT-23 参数:NPN型 VCBO50V 100mA 300mW 双极型晶体管(BJT) NPN IC(集电极最大电流)=100mA PD(最大功率)=200mW应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
供应商型号: BC847C SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
MDD/辰达半导体 三极管(BJT) BC847C

BC847C参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 45V
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 100mA,5mA
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 0.5@ 5mA,100mA
配置 -
集电极截止电流 100nA
VCBO-最大集电极基极电压 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BC847C厂商介绍

深圳辰达半导体有限公司 https://www.microdiode.com (简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。

公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

BC847C数据手册

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MDD/辰达半导体 三极管(BJT) MDD/辰达半导体 BC847C BC847C数据手册

BC847C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.036
6000+ ¥ 0.0354
9000+ ¥ 0.0345
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
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