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GBJ5010

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 封装:GBJ 参数:VRM=1000V,IO=10A,IFSM=150A,VF=1.1V,IR=10uA
供应商型号: 31M-GBJ5010
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
MDD/辰达半导体 整流二极管/整流桥 GBJ5010

GBJ5010概述


    产品简介


    硅桥式整流器是一种广泛应用于各种电子设备中的关键组件,其主要功能是将交流电(AC)转换为直流电(DC)。这些产品适用于需要高电流处理能力的环境,如电源供应器、电动机驱动器和其他需要高效电能转换的应用领域。硅桥式整流器的主要类型包括GBJ50005到GBJ5010,每种型号在电压范围和电流容量上有所不同。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 最大重复峰值反向电压(VRRM) | 50 V 到 1000 V |
    | 最大均方根电压(VRMS) | 35 V 到 700 V |
    | 最大直流阻挡电压(VDC) | 50 V 到 1000 V |
    | 最大平均正向电流(I(AV)) | 50.0 A(带散热片),无散热片时则较低 |
    | 峰值正向浪涌电流(IFSM) | 400 A |
    | 最大正向电压(VF) | 1.1 V @ 5 A DC |
    | 最大直流反向电流(IR) | 10 μA(25°C),0.5 mA(125°C) |
    | 典型结电容(CJ) | 85 pF |
    | 典型热阻抗(RθJA) | 0.6 °C/W |
    | 工作结温范围(TJ) | -55°C 至 +150°C |
    | 存储温度范围(TSTG) | -55°C 至 +150°C |

    产品特点和优势


    硅桥式整流器具有低正向电压降、高电流承载能力和可靠低成本的结构设计。它们特别适合印刷电路板上的使用,且塑料材料通过UL认证,具备94V-0级阻燃性。此外,这些整流器采用模制塑料外壳,带有标记极性的符号,方便安装。它们可以放置在任何位置,具有广泛的温度适应性(-55°C 至 +150°C)。

    应用案例和使用建议


    硅桥式整流器广泛应用于电源供应器、电动机驱动器、焊接设备、家电电器等领域。为了确保最佳性能,推荐在使用时配备散热片,以减少温升带来的影响。此外,在高电流应用中,注意散热片的尺寸和材料选择,以确保器件能够安全运行。例如,在铜制散热片上使用这些器件时,散热效果会更好。

    兼容性和支持


    硅桥式整流器GBJ50005至GBJ5010的终端经过焊锡镀层处理,符合MIL-STD-750标准,因此它们易于与其他电子元件兼容。厂家提供相应的技术支持和维护服务,包括安装指南、故障排除指南以及相关文档,以便用户能够顺利使用和维护这些器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下使用时,器件的性能是否会受到影响?
    - 解答: 是的。硅桥式整流器的工作温度范围为-55°C 至 +150°C,但为确保长期稳定性能,建议在使用时配备合适的散热装置。
    2. 问题:如何正确选择型号?
    - 解答: 根据具体应用所需的电压和电流选择合适型号。例如,对于要求高电压和高电流的应用,可以选择VRRM大于500V的型号。
    3. 问题:如何确保长期使用寿命?
    - 解答: 定期检查散热系统的状态,确保其正常运作,避免器件因过热而损坏。

    总结和推荐


    总体而言,硅桥式整流器GBJ50005至GBJ5010是一款高可靠性、高性能的产品,特别适合于需要高电流和宽温度范围的应用。考虑到其优秀的电气特性和宽泛的工作条件,我们强烈推荐这些器件在您的项目中使用。如果您对具体型号的选择或应用有疑问,建议咨询制造商的技术支持团队,以获得更详细的指导。

GBJ5010参数

参数
Vr-反向电压 1KV
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
配置 -
If - 正向电流 2.5A
Ir - 反向电流 10uA@1kV
通用封装 GBJ
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

GBJ5010厂商介绍

深圳辰达半导体有限公司 https://www.microdiode.com (简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。

公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

GBJ5010数据手册

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MDD/辰达半导体 整流二极管/整流桥 MDD/辰达半导体 GBJ5010 GBJ5010数据手册

GBJ5010封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.9964
10+ ¥ 4.0099
30+ ¥ 3.6089
100+ ¥ 3.3082
250+ ¥ 2.807
500+ ¥ 2.6566
1000+ ¥ 2.5482
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