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GT025N06AM6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 215W(Tc) 2.5V@ 250µA 70nC@ 10 V 1个N沟道 60V 2mΩ@ 20A,10V 170A 5.058nF@30V TO-263-6 贴片安装
供应商型号: GT025N06AM6 TO-263-6L
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT025N06AM6

GT025N06AM6概述

    GT025N06AM6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    GT025N06AM6 是一款由 GoFord Semiconductor 生产的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg),适用于广泛的电源管理和控制应用。产品主要应用于电源开关和直流/直流转换器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 60 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 170 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 300 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功耗 | PD | 215 | W |
    | 单次脉冲雪崩能量 | EAS | 324 | mJ |
    | 最大结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 到 150 | °C |
    热阻参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结至环境热阻 | RthJA | 50 | °C/W |
    | 结至外壳热阻 | RthJC | 0.58 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(ON)):在 VGS = 10V 时 RDS(ON) < 2mΩ,在 VGS = 4.5V 时 RDS(ON) < 2.5mΩ。
    2. 高可靠性和安全性:通过 100% 雪崩测试,符合 RoHS 规范。
    3. 高击穿电压:漏源电压 VDS 达到 60V,可承受高电压环境。
    4. 低栅极电荷:Qg 仅为 70nC,有助于降低驱动功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源开关:适用于各种直流供电系统的开关操作。
    - 直流/直流转换器:适用于高效能的直流转换系统,如太阳能逆变器。
    使用建议
    1. 散热设计:鉴于 PD 为 215W,需要确保良好的散热条件以避免过热。建议使用大面积散热片或者散热器。
    2. 工作环境:工作温度范围为 -55°C 至 150°C,但在实际应用中应尽量避免极端温度环境。
    3. 驱动电路:为了确保最佳性能,应选用适当的驱动电路以减少栅极充电时间(td(on) 和 tf)。

    兼容性和支持


    - 封装形式:采用 TO-263-6L 封装,兼容常见的直流/直流转换器板。
    - 支持:GoFord Semiconductor 提供详细的技术支持和售后服务,包括技术文档和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何避免过热?
    - A: 确保良好的散热设计,使用大面积散热片或散热器。安装散热装置时应遵循相关规范。
    2. Q:如何确保最佳性能?
    - A: 选择适当的驱动电路,确保 VGS 在合理范围内。建议参考技术手册中的驱动电路图。
    3. Q:如何检查器件的完整性?
    - A: 在实际应用前,应进行完整的测试,包括但不限于雪崩测试和耐压测试。

    总结和推荐


    GT025N06AM6 是一款高性能的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性等特点。它的广泛应用使其成为电源管理领域的理想选择。在使用过程中,需注意散热和驱动电路的设计,以确保最佳性能。因此,我强烈推荐这款产品用于需要高效能、高可靠性的应用场合。

GT025N06AM6参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 170A
最大功率耗散 215W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 20A,10V
配置 -
栅极电荷 70nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.058nF@30V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 TO-263-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

GT025N06AM6厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT025N06AM6数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT025N06AM6 GT025N06AM6数据手册

GT025N06AM6封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 3.5075
2400+ ¥ 3.4465
3200+ ¥ 3.355
4000+ ¥ 3.2025
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型号 价格(含增值税)
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