处理中...

首页  >  产品百科  >  G60N04K

G60N04K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 65W(Tc) 2.5V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 40V 7mΩ@ 30A,10V 60A 2.014nF@20V TO-252 贴片安装
供应商型号: G60N04K TO-252-2
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G60N04K

G60N04K概述

    # G60N04K MOSFET 技术手册

    产品简介


    G60N04K 是一款由 GoFord Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术制造,旨在提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷,适用于广泛的电力转换应用。

    技术参数


    以下是 G60N04K 的主要技术参数:
    - 耐压(VDS): 40V
    - 连续漏极电流(ID): 60A
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS = 10V 时,< 7mΩ
    - VGS = 4.5V 时,< 12mΩ
    - 重复性脉冲耐压(IDM): 200A
    - 栅极-源极电压(VGS): ±20V
    - 最大功率耗散(PD): 65W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 73mJ
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 热阻(RthJC): 2.3°C/W

    产品特点和优势


    G60N04K 具有以下几个显著特点:
    - 低导通电阻:在 VGS = 10V 时,RDS(ON) < 7mΩ;在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) < 12mΩ。这使得它非常适合需要高效能量转换的应用。
    - 高可靠性:所有器件都经过 100% 雪崩测试,确保在极端条件下也能稳定运行。
    - 环保设计:符合 RoHS 标准,满足环保要求。
    - 广泛的应用领域:适用于电源开关、DC/DC 转换器等多种应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源开关:G60N04K 在开关电源应用中表现出色,能够提供高效的电流控制。
    - DC/DC 转换器:在高频率、大电流的转换器中,其低导通电阻特性能显著降低功耗。
    使用建议
    - 在高电流应用中,建议将栅极电阻(RG)设置为 3Ω,以优化开关性能。
    - 为了减少热量积累,应考虑增加散热措施,如使用散热片或散热器。

    兼容性和支持


    G60N04K 采用 TO-252 封装,易于安装和集成到现有电路中。GoFord Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够快速上手并解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - Q: 如何确定合适的栅极驱动电压?
    - A: 推荐使用 VGS = 10V,此时 RDS(ON) 最小,能实现最低的导通电阻。

    - Q: 什么是栅极电荷(Qg)?
    - A: 栅极电荷是门极和源极之间的电荷量,对开关速度有直接影响。推荐使用 29nC 作为参考值。

    总结和推荐


    综上所述,G60N04K 是一款性能卓越、应用广泛的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其低导通电阻、高可靠性和环保设计使其成为电源管理应用的理想选择。我们强烈推荐 G60N04K 用于需要高效能量转换和可靠性能的应用场景。
    联系方式:
    - 网站: [www.gofordsemi.com](http://www.gofordsemi.com)
    - 电话: 0755-29961263
    - 传真: 0755-29961466
    (A1335)

G60N04K参数

参数
最大功率耗散 65W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 30A,10V
栅极电荷 29nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.014nF@20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

G60N04K厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G60N04K数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G60N04K G60N04K数据手册

G60N04K封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.7475
7500+ ¥ 0.7345
12500+ ¥ 0.715
17500+ ¥ 0.6825
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 1868.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336