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GT55N06D5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 69W(Tc) 2.4V@ 250µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 60V 9mΩ@ 14A,10V 45A 1.085nF@30V 贴片安装
供应商型号: GT55N06D5 DFN-8(4.9X5.75)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT55N06D5

GT55N06D5概述

    # GT55N06D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    GT55N06D5 是一款由 GoFord Semiconductor 生产的高性能 N-Channel 增强型功率 MOSFET。这款产品采用了先进的沟槽技术,能够提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。该 MOSFET 可广泛应用于电源开关、DC/DC 转换器等多种场合,是一款适用于各种高电流和高电压应用的理想选择。
    主要功能
    - 高电压耐受能力:漏源电压 VDS 高达 60V。
    - 大电流处理能力:连续漏极电流 ID 达到 45A,脉冲漏极电流 IDM 可高达 180A。
    - 低导通电阻:栅极电压为 10V 时,导通电阻 RDS(ON) 低于 9mΩ;栅极电压为 4.5V 时,导通电阻 RDS(ON) 低于 13mΩ。
    - 符合环保要求:RoHS 兼容。
    应用领域
    - 电源开关
    - DC/DC 转换器
    - 驱动电路
    - 其他高电压高电流应用场合

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 60 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 45 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 180 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功耗 | PD | 69 | W |
    | 单次脉冲雪崩能量 | EAS | 49 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 150 | ℃ |
    | 热阻,结到环境 | RthJA | 17 | ℃/W |
    | 最大结到壳体热阻 | RthJC | 1.8 | ℃/W |

    产品特点和优势


    - 高效能:采用先进的沟槽技术,保证在低导通电阻的同时,还具有良好的栅极电荷性能。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试确保产品在恶劣环境下的稳定性和耐用性。
    - 环保合规:符合 RoHS 标准,便于全球范围内的应用。
    - 多功能应用:适用范围广泛,可满足多种高电压高电流的应用需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源开关:用于控制电流流动,特别是在高压环境下的开关转换。
    - DC/DC 转换器:用于高效率的直流电转换,确保电力系统的稳定运行。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较高的功率损耗,需要特别注意散热设计以保证长期稳定运行。
    - 栅极驱动:推荐使用专门的栅极驱动器以确保 MOSFET 在开关过程中的性能和安全性。
    - 滤波和保护电路:为防止瞬态电流和电压波动,建议增加滤波电容和瞬态抑制二极管等保护措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此 MOSFET 与多数标准的驱动电路和控制电路兼容,可以方便地集成到现有的系统中。
    - 技术支持:GoFord Semiconductor 提供详细的技术文档和用户指南,帮助用户快速了解产品特性和正确使用方法。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 增加散热片,优化散热设计 |
    | 阴极电流过大 | 检查负载并适当调整,使用外部限流电阻 |
    | 开关过程中出现异常噪音 | 检查电路板布线和接地设计,增加去耦电容 |
    | 寿命短 | 检查工作环境温度,确保不超过最大结温限制 |

    总结和推荐


    综上所述,GT55N06D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 凭借其优异的性能指标、广泛的应用范围以及可靠的稳定性,在众多高电流高电压应用场景中表现出色。其卓越的导通电阻和低栅极电荷特性,使其成为替代传统 MOSFET 的理想选择。对于需要高效能、可靠性和兼容性的高电压高电流应用场合,强烈推荐使用此产品。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请随时联系 GoFord Semiconductor 的技术支持团队。

GT55N06D5参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 45A
最大功率耗散 69W(Tc)
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.085nF@30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 250µA
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 14A,10V
栅极电荷 31nC@ 10 V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

GT55N06D5厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT55N06D5数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT55N06D5 GT55N06D5数据手册

GT55N06D5封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.0925
15000+ ¥ 1.0735
20000+ ¥ 1.045
25000+ ¥ 0.9975
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 5000
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