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03N06L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 14.6nC@ 30V 72mΩ 3A SOT-23-3L
供应商型号: 03N06L SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) 03N06L

03N06L概述

    # 03N06L N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    03N06L 是一款由 GoFord Semiconductor 生产的N沟道增强型功率MOSFET。它采用了先进的沟槽技术,以提供出色的RDS(ON)和低门极电荷。03N06L 可应用于多种场合,如电源开关、DC/DC转换器等,适用于各种电力管理和控制需求。

    技术参数


    以下是 03N06L 的关键技术和性能参数:
    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 连续漏极电流 (ID): 3 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 12 A
    - 门极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 功率耗散 (PD): 1.7 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA): 73.5 °C/W
    - 静态参数
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): 60 V
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 门极-源极泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)): 0.7 - 1.2 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 2A: ≤80 mΩ
    - VGS = 4.5V, ID = 1A: ≤90 mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 458
    - 输出电容 (Coss): 24
    - 反向转移电容 (Crss): 21
    - 总门极电荷 (Qg): 14.6
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 1.6
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 3
    - 开关时间参数
    - 开启延迟时间 (td(on)): 6 ns
    - 开启上升时间 (tr): 15 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 15 ns
    - 关闭下降时间 (tf): 10 ns
    - 二极管特性
    - 持续二极管电流 (IS): 3 A
    - 二极管电压 (VSD): 1.2 V
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 38 nC
    - 反向恢复时间 (Trr): 36 ns

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:提供出色的RDS(ON)和低门极电荷,有助于降低功耗和提高效率。
    - 宽工作范围:在-55°C至150°C的工作温度范围内仍能保持稳定性能。
    - 高可靠性:经过100%雪崩测试,符合RoHS标准,确保长期可靠运行。
    - 高效节能:低导通电阻 (RDS(on)) 降低了功耗,特别适合高频应用。
    - 易于集成:采用SOT-23-3L封装,便于PCB设计和安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    03N06L MOSFET 主要应用于电源开关和DC/DC转换器。在这些应用中,它可以有效地实现电路的开关控制,提升系统的能效。
    使用建议
    - 在选择工作条件时,确保VDS不超过60V,且漏极电流不超过3A。
    - 使用合适的散热措施,避免过热损坏。
    - 确保门极电压在±20V范围内,以防止击穿。

    兼容性和支持


    03N06L 可与多种电路和系统兼容。GoFord Semiconductor 提供详尽的技术支持和售后保障,以确保客户能够顺利使用并获得最佳效果。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定门极电压?
    - 解答:根据具体应用场景,确保门极电压在±20V范围内,通常推荐10V以确保良好的导通状态。

    2. 如何处理过温情况?
    - 解答:使用适当的散热片或散热器,并确保安装环境通风良好,避免长时间过载运行。

    总结和推荐


    03N06L是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,具备出色的RDS(ON)和低门极电荷特性。它在各种电力管理和控制应用中表现出色,特别是在电源开关和DC/DC转换器领域。推荐使用此产品,尤其是在需要高效能、高可靠性的场合。
    如果您正在寻找一个可靠的、易于集成的MOSFET,03N06L将是您的理想选择。

03N06L参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 72mΩ
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 14.6nC@ 30V
Id-连续漏极电流 3A
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-23-3L
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

03N06L厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

03N06L数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 03N06L 03N06L数据手册

03N06L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.207
9000+ ¥ 0.2034
15000+ ¥ 0.198
57000+ ¥ 0.189
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起订量: 3000 增量: 3000
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