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GT52N10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 44.5nC@ 10V 6mΩ 80A TO-220
供应商型号: GT52N10T TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT52N10T

GT52N10T概述


    产品简介


    GT52N10T是一款N沟道增强型功率MOSFET,由高福特半导体有限公司(Goford Semiconductor)生产。这款器件采用了先进的沟槽技术,提供了出色的低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg)。适用于多种应用场景,包括电源开关和DC/DC转换器等。GT52N10T采用TO-220封装,符合RoHS标准,确保环保且可靠性高。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 连续漏电流 \( ID \): 70 A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 220 A
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 功耗 \( PD \): 100 W
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 196 mJ
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55 至 150 °C
    - 热阻
    - 结至环境热阻 \( R{thJA} \): 60 °C/W
    - 结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 1.25 °C/W
    - 静态参数
    - 击穿电压 \( V(BR){DSS} \): 100 V
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \): ≤ 1 μA
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): ≤ ±100 nA
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1 - 3 V
    - 导通电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - \( V{GS} = 10V, ID = 50A \): 6 - 9 mΩ
    - \( V{GS} = 4.5V, ID = 50A \): 10 - 15 mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2273 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 392 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 21 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 35 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 8 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 5 nC
    - 开通延时时间 \( td(on) \): 10 ns
    - 开通上升时间 \( tr \): 4 ns
    - 关断延时时间 \( td(off) \): 31 ns
    - 关断下降时间 \( tf \): 6 ns
    - 反向恢复特性
    - 持续反向电流 \( IS \): 70 A
    - 反向电压 \( V{SD} \): 1.2 V
    - 反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 170 nC
    - 反向恢复时间 \( T{rr} \): 34 ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(ON)):在\( V{GS} = 10V \)时,\( R{DS(ON)} \)小于9mΩ;在\( V{GS} = 4.5V \)时,\( R{DS(ON)} \)小于15mΩ,保证了高效的功率转换效率。
    - 低栅极电荷(Qg):总栅极电荷仅为35 nC,有助于减少驱动损耗,提高系统的整体效率。
    - 100% 雪崩测试通过:产品具备优异的耐压能力,能够在极端条件下保持稳定运行。
    - TO-220 封装:易于安装和散热,适合各种电路设计。
    - 符合RoHS标准:环保材料,符合国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该器件广泛应用于直流开关电源、DC/DC转换器等领域。例如,在数据中心的电源系统中,GT52N10T能够显著提升转换效率和稳定性。
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,注意选择合适的驱动电路以充分利用低栅极电荷的优势。
    - 确保散热设计充分,特别是在大电流应用下,避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:GT52N10T与市场上主流的电源管理芯片和其他MOSFET器件兼容,可方便地集成到现有系统中。
    - 支持和服务:高福特半导体提供详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确安装TO-220封装的GT52N10T?
    - 解决方案:确保焊接质量,使用合适的焊锡膏和焊接温度,避免虚焊和短路。

    - 问题2:如何优化驱动电路以减少驱动损耗?
    - 解决方案:选用低电感引线并使用高速驱动器,以减少开通和关断过程中产生的寄生电感效应。

    总结和推荐


    总体来看,GT52N10T是一款高性能的N沟道功率MOSFET,其低导通电阻和低栅极电荷特性使其非常适合于高效率的应用场合。此外,其优秀的雪崩特性和稳定的性能表现也增加了其在工业和消费电子市场的竞争力。对于需要高效、稳定工作的电源管理系统,强烈推荐使用GT52N10T。
    通过以上详细介绍,希望用户能够全面了解GT52N10T的特性和应用场景,从而做出合适的选择。如需进一步技术支持,请联系高福特半导体的客户服务部门。

GT52N10T参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 44.5nC@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ
Id-连续漏极电流 80A
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
FET类型 -
通用封装 TO-220

GT52N10T厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT52N10T数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT52N10T GT52N10T数据手册

GT52N10T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 2.07
150+ ¥ 2.034
250+ ¥ 1.98
5600+ ¥ 1.89
库存: 50
起订量: 50 增量: 50
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最小起订量为:50
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