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GT080N10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 100W(Tc) 3V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 100V 8mΩ@ 50A,10V 70A 2.257nF@50V TO-220 通孔安装
供应商型号: GT080N10T TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT080N10T

GT080N10T概述

    # 电子元器件产品技术手册

    产品简介


    基本介绍
    型号:GT080N10T
    制造商:GoFord Semiconductor
    描述:GT080N10T是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,具有极低的RDS(ON)和较低的栅极电荷。广泛应用于开关电源、直流/直流转换器等多种应用场合。
    主要功能
    - 高耐压:100V
    - 大电流:连续漏极电流可达70A
    - 低导通电阻:典型值为6mΩ (VGS=10V, ID=50A)
    - 罗氏线圈合规:RoHS符合
    应用领域
    - 电源开关
    - 直流/直流转换器

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 100 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 70 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 220 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功率耗散 | PD | 100 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 196 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55到150 | ℃ |
    静态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=250μA | 100 V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | VDS=100V, VGS=0V 1 | μA |
    | 栅源泄漏 | IGSS | VGS=±20V ±100 | nA |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1 | 1.5 | 3 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A 6 | 8 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=50V, f=1.0MHz 2257
    | 输出电容 | Coss 391 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 21
    | 总栅极电荷 | Qg | VDD=50V, ID=50A, VGS=10V 35
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD=50V, ID=50A, RG=3Ω 10 ns |
    | 开启上升时间 | tr 4
    | 关断延迟时间 | td(off) 31
    | 关断下降时间 | tf 6
    | 正向雪崩能量 | EAS | TJ=25℃, VDD=50V, VGS=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω | 196
    | 反向恢复电荷 | Qrr | IF=50A, VGS=0V, di/dt=500A/us 170
    | 反向恢复时间 | Trr 34

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:提供优秀的RDS(ON),低栅极电荷,确保低功耗和高效率。
    - 出色的电流承载能力:连续漏极电流高达70A,适用于高功率应用。
    - 宽泛的工作电压范围:耐压100V,能够在多种电压环境下稳定工作。
    - 罗氏线圈合规:符合环保要求,适用于各种严苛的应用环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源开关:在高压电源电路中作为主开关,提高系统的整体效率。
    - 直流/直流转换器:用于电池管理系统,提升系统稳定性与效率。
    使用建议
    - 在使用时,建议选择适当的栅极驱动器以保证MOSFET的安全运行。
    - 针对大电流场景,应考虑良好的散热措施以降低热阻。
    - 对于复杂的控制电路,可参考技术手册中的测试电路图,优化设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多种标准驱动器和保护电路兼容,便于集成。
    - 支持服务:制造商提供详尽的技术文档及技术支持服务,帮助客户解决问题并优化应用方案。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时过电流导致损坏
    解决方案:增加栅极电阻或使用软启动电路以减少瞬时电流冲击。
    2. 问题:高温环境下的性能下降
    解决方案:通过改善散热设计,如增加散热片或风扇,确保MOSFET在安全工作范围内。
    3. 问题:雪崩模式下的不稳定
    解决方案:使用具备更好抗雪崩能力的型号,或者在电路中添加保护二极管。

    总结和推荐


    综合评估
    GT080N10T凭借其低导通电阻、优异的动态性能和出色的可靠性,在多种高功率应用场景中表现出色。它不仅能够显著提升系统的整体效率,还能确保长时间稳定运行。
    推荐
    综上所述,GT080N10T是电力电子应用的理想选择。无论是对于追求高效率、低功耗的设计者还是需要在复杂环境中保持稳定运行的项目团队,该产品都值得推荐。

GT080N10T参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 50A,10V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.257nF@50V
栅极电荷 35nC@ 10 V
最大功率耗散 100W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

GT080N10T厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT080N10T数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT080N10T GT080N10T数据手册

GT080N10T封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 3.22
150+ ¥ 3.164
250+ ¥ 3.08
3600+ ¥ 2.94
库存: 50
起订量: 50 增量: 50
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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