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GT095N10K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 74W(Tc) 2.5V@ 250µA 54nC@ 10 V 1个N沟道 100V 10.5mΩ@ 35A,10V 55A 1.667nF@50V TO-252 贴片安装
供应商型号: GT095N10K TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT095N10K

GT095N10K概述

    # GT095N10K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    GT095N10K 是一款由戈弗半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源(SMPS)、LED驱动器、不间断电源(UPS)、电机控制和电池管理系统(BMS)等领域。该器件采用了先进的沟槽技术,以提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,从而在提高效率的同时降低功耗。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 100V
    - 连续漏极电流:ID = 55A
    - 峰值漏极电流:IDM = 220A
    - 栅极-源极电压:VGSS = ±20V
    - 最大功率损耗:PD = 74W
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 49mJ
    - 绝对最高额定温度:TJ, Tstg = -55°C 到 +150°C
    - 热阻:RthJC = 1.7°C/W
    静态参数
    - 击穿电压:V(BR)DSS = 100V
    - 零栅极电压漏极电流:IDSS = 1μA
    - 栅极-源极漏电流:IGSS = ±100nA
    - 阈值电压:VGS(th) = 1.0V 到 2.5V
    - 导通电阻:
    - VGS = 10V, ID = 35A时,RDS(on) < 10.5mΩ
    - VGS = 4.5V, ID = 35A时,RDS(on) < 15mΩ
    - 前进跨导:gFS = 45S
    动态参数
    - 输入电容:Ciss = 1667pF
    - 输出电容:Coss = 625pF
    - 反向转移电容:Crss = 9pF
    - 总栅极电荷:Qg = 54nC
    - 栅极-源极电荷:Qgs = 10nC
    - 栅极-漏极电荷:Qgd = 14nC
    - 开通延迟时间:td(on) = 13ns
    - 开通上升时间:tr = 10ns
    - 关断延迟时间:td(off) = 30ns
    - 关断下降时间:tf = 8ns
    源极-漏极体二极管特性
    - 连续体二极管电流:IS = 55A
    - 体二极管电压:VSD = 1.2V
    - 反向恢复电荷:Qrr = 95nC
    - 反向恢复时间:Tr = 45ns

    产品特点和优势


    - 高效能:采用先进沟槽技术,RDS(ON)低至10.5mΩ(VGS = 10V),极大地提高了系统效率。
    - 低功耗:通过优化栅极电荷Qg为54nC,降低了开关损耗。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试确保了产品的可靠性。
    - 环保合规:符合RoHS标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 同步整流:在SMPS或LED驱动器中作为同步整流器使用。
    - 电机控制:用于电机驱动电路,实现高效控制。
    - 电池管理系统:在BMS中作为开关器件,实现可靠的电池管理。
    使用建议
    - 散热设计:由于热阻RthJC = 1.7°C/W,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路:为了减少开关损耗,建议使用较低的栅极电阻RG,如1.6Ω。
    - 雪崩特性:确保不超过雪崩能量限制49mJ,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    - 封装:采用TO-252封装,标记为“GT095N10”,每卷包含5000个器件。
    - 技术支持:如需技术支持,可通过电话0755-29961263联系供应商。

    常见问题与解决方案


    问题一:散热不足导致过热
    解决方案:确保良好散热,选择合适的散热器并合理布局PCB,增加散热面积。
    问题二:驱动电压不正确导致过高的RDS(on)
    解决方案:确保驱动电压在合适的范围内(例如VGS = 10V),避免驱动电压过高或过低。
    问题三:反向恢复时间过长导致效率降低
    解决方案:选择具有较短反向恢复时间(如45ns)的器件,以降低开关损耗。

    总结和推荐


    GT095N10K 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种电力电子应用。其低导通电阻和低栅极电荷特性使得它在提高效率方面表现卓越。经过详细的测试和验证,确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。因此,我们强烈推荐在需要高效、可靠电力转换的场合使用这款产品。

GT095N10K参数

参数
栅极电荷 54nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 10.5mΩ@ 35A,10V
Id-连续漏极电流 55A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.667nF@50V
最大功率耗散 74W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

GT095N10K厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT095N10K数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT095N10K GT095N10K数据手册

GT095N10K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.38
7500+ ¥ 1.356
10000+ ¥ 1.32
12500+ ¥ 1.26
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起订量: 2500 增量: 2500
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