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GC11N65F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 38.5W(Tc) 4V@ 250µA 21nC@ 10 V 1个N沟道 650V 360mΩ@ 5.5A,10V 11A 901pF@50V TO-220F 通孔安装
供应商型号: GC11N65F TO-220F-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GC11N65F

GC11N65F概述

    GC11N 65 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    GC11N 65 是一款采用先进的超级结技术制造的功率半导体器件。其主要功能包括提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在较低的栅极电压下操作。该器件特别适用于交流-直流开关电源(AC-DC SMPS)中的功率因数校正(PFC)、交流/直流电源转换及工业电源应用。

    2. 技术参数


    以下是 GC11N 65 的关键技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 管壳温度为 25℃ 时的热阻:结到外壳 (RthJC) = 1.6°C/W;结到环境 (RthJA) = 62°C/W。
    - 漏源电压 (VDS) = 650V;漏极电流 (ID) = 11A。
    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS) = 650V。
    - 栅源电压 (VGS) = ±30V。
    - 连续漏极电流 (ID) = 11A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM) = 33A。
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS) = 211mJ。
    - 雪崩电流 (IAR) = 1.6A。
    - 重复雪崩能量 (EAR) = 0.32mJ。
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 (td(on)) = 42ns。
    - 开启上升时间 (tr) = 20ns。
    - 关闭延迟时间 (td(off)) = 123ns。
    - 关闭下降时间 (tf) = 6.4ns。
    - 总栅极电荷 (Qg) = 21nC。
    - 封装形式
    - TO-220、TO-252、TO-220F。
    - 其他特性
    - 符合RoHS标准。
    - 全部进行雪崩测试。

    3. 产品特点和优势


    GC11N 65 的主要特点包括:
    - 新型高电压器件技术。
    - 低导通电阻和低传导损耗。
    - 小型封装。
    - 低栅极电荷,降低了驱动要求。
    - 全部进行雪崩测试,保证可靠性能。
    - RoHS合规,符合环保要求。
    这些特点使其在交流-直流开关电源和工业电源应用中表现出色,具有很高的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    GC11N 65 主要应用于:
    - 功率因数校正(PFC)。
    - 开关模式电源(SMPS)。
    - 不间断电源(UPS)。
    使用建议:
    - 在设计中应注意散热,特别是对于连续运行的应用,需要考虑热阻(RthJA)。
    - 选择适当的栅极电阻以优化开关速度和降低开关损耗。
    - 确保电路设计能够承受脉冲电流和雪崩能量。

    5. 兼容性和支持


    GC11N 65 可与多种电子元件和设备兼容,具体请参考厂商提供的兼容性列表。厂商提供详尽的技术支持和服务,包括产品手册、样品申请、技术支持热线等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温度环境下工作时,导通电阻增加。
    - 解决办法: 加强散热措施,如增加散热片或风扇,确保工作温度在规定范围内。
    - 问题:开机延迟时间过长。
    - 解决办法: 减少栅极电阻,调整合适的栅极驱动电压和驱动波形,以提高开关速度。
    - 问题:雪崩电流不稳定。
    - 解决办法: 确保输入电源稳定,避免瞬时大电流冲击,同时加强电路保护措施。

    7. 总结和推荐


    GC11N 65 是一款高效、可靠的功率半导体器件,具备多种优势和广泛应用前景。其出色的低导通电阻、低栅极电荷和小型封装使其成为交流-直流开关电源和工业电源应用的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用 GC11N 65,但需注意散热设计以确保其最佳性能。

GC11N65F参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 901pF@50V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 5.5A,10V
配置 -
Id-连续漏极电流 11A
栅极电荷 21nC@ 10 V
最大功率耗散 38.5W(Tc)
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

GC11N65F厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GC11N65F数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GC11N65F GC11N65F数据手册

GC11N65F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 2.645
150+ ¥ 2.599
250+ ¥ 2.53
4350+ ¥ 2.415
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