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YJP150N06AQ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 69nC@ 10V 4.6mΩ@ 10V,75A 150A TO-220
供应商型号: 15M-YJP150N06AQ TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YJP150N06AQ

YJP150N06AQ概述

    # YJP150N06AQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 技术手册

    产品简介


    YJP150N06AQ 是一款由扬州阳捷电子科技有限公司生产的N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款产品主要用于直流到直流转换器、电源管理功能及工业电机驱动等领域。其特点是具有较高的耐压能力(60V)、较大的电流承载能力(150A)和低导通电阻(小于5.5mΩ),采用沟槽功率MV MOSFET技术,能够有效提高散热性能和密度设计,从而实现低导通电阻。

    技术参数


    - 基本参数
    - 耐压(VDS):60V
    - 漏极电流(ID):150A
    - 导通电阻(RDS(ON),在VGS=10V时):<5.5mΩ
    - 无故障测试:100% UIS 和 ▽VDS 测试通过

    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TC=25℃):150A;(TC=100℃):105A
    - 脉冲漏极电流:500A
    - 总功率耗散(TC=25℃):225W;(TC=100℃):112W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):550mJ
    - 热阻(结至外壳):0.67℃/W
    - 结温与存储温度范围:-55℃~+175℃
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):60V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1μA(TJ=25℃);5μA(TJ=55℃)
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 栅阈值电压(VGS(th)):2.0~4.0V
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):4200pF
    - 输出电容(Coss):475pF
    - 反向传输电容(Crss):207pF
    - 开关参数:
    - 总栅电荷(Qg):69nC
    - 栅源电荷(Qgs):33nC
    - 栅漏电荷(Qgd):15nC
    - 反向恢复电荷(Qrr):98nC
    - 反向恢复时间(trr):53ns
    - 导通延迟时间(tD(on)):18ns
    - 导通上升时间(tr):35ns
    - 关断延迟时间(tD(off)):44ns
    - 关断下降时间(tf):23ns

    产品特点和优势


    YJP150N06AQ 的主要优势在于:
    - 使用先进的沟槽功率MV MOSFET技术,保证了高可靠性。
    - 具有出色的散热性能,适用于高功率密度应用。
    - 低导通电阻(RDS(ON)),能够在大电流下保持较低的能耗。
    - 支持多种电气特性,适用于广泛的工业和电机驱动应用。

    应用案例和使用建议


    YJP150N06AQ 主要应用于直流到直流转换器、电源管理功能及工业电机驱动等领域。例如,在直流到直流转换器的应用中,YJP150N06AQ 可以显著提高转换效率和稳定性。为了更好地发挥其性能,建议在设计时充分考虑散热措施,如增加散热片或使用导热材料来降低结温。此外,根据实际应用场景选择合适的栅极驱动电阻和电容,以减少开关损耗并提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    该产品符合RoHS标准,可与市面上大多数的电路板和控制系统兼容。厂商提供了详细的技术支持文档,并可通过官方网站或就近的销售办公室获取进一步的帮助。厂商还提供样品和技术咨询服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装YJP150N06AQ?
    - 解决方案:确保使用适合的焊盘尺寸和焊接工艺,避免过高的焊接温度导致损坏。建议使用带有散热片的设计,以提高散热效果。
    2. 问题:如何减少开关损耗?
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻,优化驱动波形,减少开关时间。可以参考技术手册中的开关参数进行设计。
    3. 问题:在高温环境下使用时,如何保证产品性能?
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用合适的冷却方法,如加装散热片或使用风冷/液冷系统。在设计电路时应考虑到结温限制,确保不超过最大允许温度。

    总结和推荐


    总体来看,YJP150N06AQ 是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型场效应晶体管。它在低导通电阻、高电流承载能力和出色的散热性能方面表现出色,非常适合应用于需要高效、可靠的电源管理和工业电机驱动的场合。建议在选择同类产品时,仔细对比其性能参数和适用范围,以确保最佳应用效果。

YJP150N06AQ参数

参数
Id-连续漏极电流 150A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.6mΩ@ 10V,75A
栅极电荷 69nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
应用等级 工业级

YJP150N06AQ厂商介绍

YANGJIE公司是一家专注于工业自动化和智能制造领域的高科技企业。公司主营产品包括但不限于:

1. 工业机器人:提供多关节机器人、SCARA机器人等,广泛应用于汽车制造、3C电子、食品包装等行业。
2. 自动化生产线:定制化设计和制造,服务于医药、化工、物流等多个领域。
3. 智能控制系统:包括PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动化控制和管理。
4. 传感器与执行器:提供各类传感器和执行器,用于监测和控制工业环境中的各种参数。

YANGJIE的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 定制化服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业的特定需求。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 全球网络:拥有广泛的国内外销售和服务网络,提供快速响应和优质服务。

YANGJIE致力于通过先进的技术和服务,推动工业自动化和智能制造的发展,为客户创造更大的价值。

YJP150N06AQ数据手册

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YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YANGJIE/扬州扬杰电子 YJP150N06AQ YJP150N06AQ数据手册

YJP150N06AQ封装设计

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