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YJH10N02A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.5W 1个N沟道 20V 7mΩ@ 4.5V 10A SOT-89
供应商型号: YJH10N02A
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YJH10N02A

YJH10N02A概述

    # YJH10N02A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 技术手册

    产品简介


    YJH10N02A 是一款由扬州扬杰电子科技有限公司生产的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的 Trench Power LV MOSFET 技术,具备出色的热管理能力和低导通电阻(RDS(ON)),使其在多种电源管理和转换应用中表现出色。产品的主要功能和应用领域包括:
    - 直流-直流转换器
    - 电源管理功能

    技术参数


    以下是 YJH10N02A 的关键技术和电气特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 20 | - | - | V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS | - | - | 1 | µA |
    | 栅极-体泄漏电流 | IGSS | ±100 | - | - | nA |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 0.45 | 0.62 | 1.0 | V |
    | 栅极-源极电容 | Ciss | - | - | 2250 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 334 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | 271 | - |
    | 输入电荷 | Qg | - | - | 27.9 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | - | 4.1 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | - | 7.4 | nC |
    | 体二极管反向恢复电荷 | Qrr | - | - | 2.2 | - |
    | 体二极管反向恢复时间 | Trr | - | - | 16.3 | ns |
    极限额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 20 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±10 | V |
    | 漏极电流 | ID | 10 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 43 | A |
    | 总功耗 | PD | 1.5 | W |
    | 结到环境热阻 | RθJA | 83 | ℃/W |
    | 结到外壳热阻 | RθJC | 31 | ℃/W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~+150 | ℃ |

    产品特点和优势


    YJH10N02A 具备以下特点和优势:
    - 先进的 Trench Power LV MOSFET 技术:确保高效率和高可靠性。
    - 低导通电阻:不同电压下的典型值分别为 11 mΩ (VGS=4.5V),15 mΩ (VGS=2.5V) 和 20 mΩ (VGS=1.8V),显著降低功耗。
    - 出色热管理:通过封装设计有效散热,保证长期稳定运行。
    - 高密度单元设计:提高集成度,缩小尺寸。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    YJH10N02A 在直流-直流转换器和电源管理功能方面表现优异。例如,在开关电源设计中,它可以用作功率级器件,以提高效率并减少热损耗。
    使用建议
    - 电路设计:确保栅极驱动电路提供适当的 VGS 电压,以避免过高 VGS 导致损坏。
    - 散热管理:在高负载情况下,务必采用有效的散热措施,如增加散热片或风扇。
    - 过流保护:考虑添加保险丝或熔断器,以防止短路或过载。

    兼容性和支持


    YJH10N02A 支持标准的 SOT-89 封装,可与多种常见的电子设备和电路板兼容。此外,扬州扬杰电子科技有限公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品文档、设计指南和客户支持热线。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何测试体二极管的反向恢复特性?
    解决方案:可以使用反向恢复测试电路进行测量。连接测试电路并施加适当的正向电流后,观察输出波形来评估二极管的恢复特性。
    问题 2:如何确定 RDS(ON) 的准确值?
    解决方案:可以在特定的 VGS 和 ID 条件下,使用万用表或专用仪器进行测量。参考电气特性表中的典型值作为指导。
    问题 3:在高负载下出现异常温升怎么办?
    解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热装置或优化电路布局,以降低功耗和改善热管理。

    总结和推荐


    综上所述,YJH10N02A 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种电源管理和转换应用。其独特的技术和优势使其在市场上具有较高的竞争力。结合其优秀的热管理和低导通电阻特性,我们强烈推荐将其用于需要高效、可靠的电源管理方案中。

YJH10N02A参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 4.5V
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 1.5W
通用封装 SOT-89
应用等级 工业级

YJH10N02A厂商介绍

YANGJIE公司是一家专注于工业自动化和智能制造领域的高科技企业。公司主营产品包括但不限于:

1. 工业机器人:提供多关节机器人、SCARA机器人等,广泛应用于汽车制造、3C电子、食品包装等行业。
2. 自动化生产线:定制化设计和制造,服务于医药、化工、物流等多个领域。
3. 智能控制系统:包括PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动化控制和管理。
4. 传感器与执行器:提供各类传感器和执行器,用于监测和控制工业环境中的各种参数。

YANGJIE的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 定制化服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业的特定需求。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 全球网络:拥有广泛的国内外销售和服务网络,提供快速响应和优质服务。

YANGJIE致力于通过先进的技术和服务,推动工业自动化和智能制造的发展,为客户创造更大的价值。

YJH10N02A数据手册

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YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YANGJIE/扬州扬杰电子 YJH10N02A YJH10N02A数据手册

YJH10N02A封装设计

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