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R15F2E223MN0B0S0N0

产品分类: 陶瓷电容
厂牌: STE/汕头松田
产品描述: 22nF ±20% Y5V 2KV
供应商型号: R15F2E223MN0B0S0N0
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
STE/汕头松田 陶瓷电容 R15F2E223MN0B0S0N0

R15F2E223MN0B0S0N0概述

    中高压陶瓷电容器-HV 系列(500VDC-6.3KVDC)技术手册

    产品简介


    中高压陶瓷电容器-HV 系列是专为高压电路设计的高性能电容器。该系列的电容器具有广泛的容量范围(从 100pF 到 100000pF),适用于中高压电路的应用,如高压旁路和耦合电路。该电容器具有耐高压的特性,且在工作温度范围内的表现非常稳定,适用于多种电子设备中。

    技术参数


    - 容量范围: 100pF 至 100000pF
    - 工作温度: -25°C 至 85°C
    - 储存温度: 15°C 至 35°C
    - 额定电压: 500VDC, 1000VDC, 2000VDC, 3000VDC, 4000VDC, 5000VDC, 6000VDC
    - 介质损耗: SL/NP0 ≤ 0.15%, Y5P/Y5U/Y5V ≤ 2.5%
    - 耐电压: 1.5UR + 500V(DC)
    - 绝缘电阻: SL/NP0 ≥ 10000MΩ, Y5P/Y5U/Y5V ≥ 4000MΩ
    - 温度特性: SL、NP0、Y5P、Y5U、Y5V
    - 电容量 (C) 和介质损耗测试条件: 25°C、1±0.1MHz、1.0Vrms

    产品特点和优势


    - 高耐压能力: 该电容器能够承受高达 6.3kV 的直流电压,适合高压电路。
    - 低损耗: 低介质损耗保证了电容器在高压下的高效运行。
    - 宽温度范围: 在极端温度下仍能保持稳定的性能。
    - 多种封装选项: 提供不同尺寸和脚型的选择,适应不同的电路设计需求。

    应用案例和使用建议


    中高压陶瓷电容器-HV 系列广泛应用于各种高压电路中,例如电视接收机中的行扫描电路、高频开关电源等。使用时应注意以下几点:
    - 选型考虑: 根据电路的具体要求选择合适的容量和电压等级。
    - 散热设计: 高压环境下应确保良好的散热,避免过热损坏。
    - 布线布局: 合理的电路板布局可以减少信号干扰,提高电容器的工作稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本系列产品与市面上常见的高压电路设计兼容,可直接替换传统电容器。
    - 技术支持: 生产商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 电容器在高温环境下失效。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保散热良好;必要时增加散热片或采用主动冷却措施。
    - 问题: 电容器在长时间使用后容量下降。
    - 解决方案: 定期检查和维护,确保电路处于最佳状态。

    总结和推荐


    综上所述,中高压陶瓷电容器-HV 系列凭借其高耐压能力、低损耗和宽温度范围等优势,在高压电路中表现出色。对于需要高压应用的工程师和设计师来说,这是一个值得推荐的产品。我们强烈建议将此电容器用于关键的高压电路设计中,以提升系统的整体性能和可靠性。

R15F2E223MN0B0S0N0参数

参数
电容值 22nF
容差 ±20%
温度系数 Y5V
额定电压 2KV

R15F2E223MN0B0S0N0厂商介绍

STE公司是一家全球领先的电子元件分销商,专注于提供广泛的电子元件和解决方案。公司主营产品包括:

1. 被动元件:如电阻、电容、电感等,广泛应用于消费电子、通信、汽车等领域。
2. 半导体:包括集成电路、二极管、晶体管等,服务于工业控制、医疗设备、计算机等行业。
3. 连接器和电缆:用于数据传输和电气连接,适用于****、*事、电信等多个领域。
4. 传感器和控制器:在自动化、智能家居、物联网等领域发挥重要作用。

STE的优势在于:

- 全球网络:拥有遍布全球的销售和服务网络,能够快速响应客户需求。
- 技术支持:提供专业的技术支持和解决方案,帮助客户解决技术难题。
- 供应链管理:强大的供应链管理能力,确保产品的稳定供应和质量控制。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的产品和服务,增强客户竞争力。

STE公司以其卓越的产品和服务,在全球电子元件分销领域占据重要地位。

R15F2E223MN0B0S0N0数据手册

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STE/汕头松田 陶瓷电容 STE/汕头松田 R15F2E223MN0B0S0N0 R15F2E223MN0B0S0N0数据手册

R15F2E223MN0B0S0N0封装设计

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