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WNM3034-8/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM3034-8/TR

WNM3034-8/TR概述

    # WNM3034 单通道N沟道30V 19A 功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    WNM3034 是由 Will Semiconductor Ltd. 生产的一款单通道N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),具有30V的漏源电压和19A的连续漏极电流。此器件采用先进的沟槽技术和设计,提供极低的导通电阻和较低的栅极电荷。WNM3034 适用于直流-直流转换器、电源开关和充电电路等领域。产品为无铅标准产品。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):30V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):TC=25°C时 19A,TC=70°C时 18A
    - 脉冲漏极电流(IDM):56A
    - 功率耗散(PD):TC=25°C时 13W,TC=70°C时 8.3W
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 储存温度范围:-55°C 到 150°C
    - 封装形式:PDFN3X3-8L-EP
    热阻
    - 稳态热阻RθJA:28°C/W(≤10s),53°C/W(稳态)
    - 稳态热阻RθJC:8°C/W(稳态)
    OFF特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):30V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1μA(VDS=24V,VGS=0V)
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA
    ON特性
    - 栅阈电压(VGS(TH)):1.2V 至 2.5V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):VGS=10V时 12mΩ,VGS=4.5V时 16mΩ
    充电特性
    - 输入电容(CISS):540pF(VGS=0V,f=1.0MHz,VDS=15V)
    - 输出电容(COSS):95pF
    - 反向传输电容(CRSS):68pF
    开关特性
    - 开启延迟时间(td(ON)):4ns
    - 关断延迟时间(td(OFF)):18ns
    - 上升时间(tr):17ns
    - 下降时间(tf):9ns
    体二极管特性
    - 正向电压(VSD):0.7V 至 1V

    产品特点和优势


    - 沟槽技术:采用先进沟槽技术,提高了载流子迁移率。
    - 高密度单元设计:具有优异的导通电阻,能够实现高效的功率转换。
    - 低阈值电压:适用于多种电压平台的应用。
    - 小型封装:PDFN3X3-8L封装,非常适合空间受限的设计。
    - 出色的导通电阻:保证了较高的效率和更低的发热。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    WNM3034 适用于各种直流-直流转换器、电源开关电路和便携式设备的负载/功率开关。例如,在移动设备的充电器和电池管理系统中,WNM3034可以作为开关器件来控制电池的充放电过程。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施以避免过热导致器件损坏。
    - 对于需要高频开关的应用,建议使用较低的栅极电压,以减少开关损耗。
    - 确保电源设计能够承受瞬态的电流峰值,防止过压保护电路误动作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WNM3034 封装形式为PDFN3X3-8L-EP,与常见的直流-直流转换器和其他电源管理设备兼容。
    - 支持和服务:Will Semiconductor Ltd. 提供详尽的技术支持文档和在线服务,包括常见问题解答和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 使用散热片或增加外部风扇进行冷却 |
    | 寿命短 | 确保电源设计符合规范要求,减少瞬态电压冲击 |
    | 开关频率过高 | 降低栅极驱动电压,使用合适的栅极电阻 |

    总结和推荐


    总体来看,WNM3034 以其先进的沟槽技术和优秀的导通电阻,在各类功率转换和开关应用中表现出色。其紧凑的封装形式使得它非常适用于空间受限的便携式设备。鉴于其优异的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐这款产品用于直流-直流转换器、电源开关电路及便携式设备的负载/功率开关应用。

WNM3034-8/TR参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 PDFN-8L-EP

WNM3034-8/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM3034-8/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM3034-8/TR WNM3034-8/TR数据手册

WNM3034-8/TR封装设计

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