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WNM6012-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM6012-3/TR

WNM6012-3/TR概述

    # WNM6012 单通道N沟道增强型功率MOSFET

    产品简介


    WNM6012 是一款由 Will Semiconductor Ltd. 生产的单通道N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的深槽工艺和设计,提供极低的导通电阻和低栅极电荷,适用于直流到直流转换器、电源开关电路及便携式设备的负载/电源开关。WNM6012 是无铅标准产品。

    技术参数


    主要规格
    - 最大漏源电压(VDS): 60V
    - 连续漏电流(ID):
    - TA=25°C: 250mA
    - TA=70°C: 200mA
    - 脉冲漏电流(IDM): 500mA
    - 最大功耗(PD):
    - TA=25°C: 1008mW
    - TA=70°C: 645mW
    - 最大工作结温(TJ): -55°C 到 150°C
    - 最大存储温度范围(TSTG): -55°C 到 150°C
    热阻参数
    - 热阻(RθJA):
    - 短时(t≤10s): 94°C/W
    - 稳态: 124°C/W
    - 在最小铜垫板上的测量值:
    - 短时(t≤10s): 221°C/W
    - 稳态: 299°C/W
    电气特性
    - 阈值电压(VGS(TH)): 1.0V 到 2.3V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10V, ID=150mA: 4.4Ω 至 7.5Ω
    - VGS=4.5V, ID=100mA: 4.7Ω 至 9.5Ω
    - VGS=2.5V, ID=10mA: 7.9Ω 至 24.0Ω
    - 输入电容(CISS): 9.4pF
    - 输出电容(COSS): 2.2pF
    - 反向传输电容(CRSS): 0.7pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)): 3.4nC
    - 上升时间(tr): 5.0ns
    - 反向电压(VSD): 0.9V 到 1.2V

    产品特点和优势


    WNM6012 具有多项独特的功能和优势,使其成为高性能、高可靠性的选择:
    - 先进的深槽技术:采用先进的深槽工艺,提供低导通电阻和低栅极电荷。
    - 超高密度单元设计:确保更小的占位面积和更高的集成度。
    - 极低的阈值电压:降低启动电压要求,提高系统效率。
    - 封装小巧:采用 DFN1006-3L 小型封装,适合空间受限的应用场景。

    应用案例和使用建议


    WNM6012 广泛应用于各类电力转换和控制场景,例如:
    - DC/DC 转换器:适合各种电压调节需求,提供高效稳定的电力转换。
    - 电源供应转换电路:为便携式设备提供稳定可靠的电力供应。
    - 负载/电源开关:用于便携式设备的电源管理,确保高效、可靠的操作。
    使用建议
    - 确保电路设计符合器件的最大功率耗散要求。
    - 注意散热设计,确保在高温环境下能正常工作。
    - 采用适当的滤波措施以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    WNM6012 可与其他常见的直流转换和控制电路兼容。Will Semiconductor Ltd. 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、电路设计咨询和技术文档支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的散热片?
    解决方案:根据实际应用的功率损耗和环境温度,计算所需的散热片大小。参考器件的热阻参数,确保其工作温度不超出允许范围。
    问题2:如何正确连接电源和负载?
    解决方案:确保电源正极连接到 MOSFET 的漏极(D),负极连接到源极(S)。控制信号通过栅极(G)施加,以控制 MOSFET 的开关状态。

    总结和推荐


    WNM6012 单通道N沟道增强型功率MOSFET 集成了多项先进技术,提供卓越的性能和可靠性。其紧凑的封装和广泛的适用范围使其成为电力转换和控制应用的理想选择。鉴于其优良的特性和广泛的用途,强烈推荐在各类电力管理和控制场合中使用。
    如果您对 WNM6012 有任何疑问或需要进一步的支持,请随时联系 Will Semiconductor Ltd. 的技术支持团队。

WNM6012-3/TR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

WNM6012-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM6012-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM6012-3/TR WNM6012-3/TR数据手册

WNM6012-3/TR封装设计

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