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WNMD2176-6/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.1nC@ 4.5V 55mΩ@ 4.5V,2.5A 2.6A SOT-23-6L
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNMD2176-6/TR

WNMD2176-6/TR概述

    # WNMD2176 Dual N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WNMD2176 是一款由 Will Semiconductor Ltd. 生产的高性能 N-Channel 增强型 MOSFET 场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术设计,旨在提供卓越的导通电阻(RDS(ON))同时具备低栅极电荷特性。WNMD2176 非常适合用于直流-直流转换器、电源开关及充电电路等领域。其标准产品为无铅(Pb-free),符合环保要求。

    技术参数


    主要技术规格
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA=25°C 时:2.6A
    - TA=70°C 时:2.1A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TA=25°C 时:0.9W
    - TA=70°C 时:0.6W
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 栅源电压 (VGS): ±10V
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 7A
    导通电阻 (RDS(ON))
    - VGS=4.5V 时:56mΩ @ 2.5A
    - VGS=2.5V 时:76mΩ @ 1.5A
    其他电气特性
    - 输入电容 (CISS): 190pF
    - 输出电容 (COSS): 45pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 36pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 3.1nC
    热阻抗
    - 结点到环境热阻 (RθJA):
    - 稳态: 110°C/W (最大)
    - 短期: 90°C/W (典型)
    - 结点到外壳热阻 (RθJC): 75°C/W (稳态)

    产品特点和优势


    WNMD2176 的核心优势在于其采用的先进沟槽技术和高密度单元设计,能够提供极低的阈值电压和优异的导通电阻。这些特性使其在驱动继电器、电磁阀、电机、LED 等负载时表现出色,同时适用于便携式设备的负载/功率切换。WNMD2176 的小型化封装(SOT-23-6L)使得它非常适合空间受限的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流-直流转换器: 利用 WNMD2176 的高效转换能力,可以实现更稳定的电源输出。
    2. 电源开关: 在便携式设备中,WNMD2176 可以作为电源开关,提高系统效率。
    3. 负载切换: 在继电器和电机控制电路中,WNMD2176 能够快速切换负载,减少能耗。
    使用建议
    - 在高频应用中,考虑并联多个 MOSFET 以减小寄生电感的影响。
    - 确保栅极驱动信号有足够的幅度和频率,避免导通不完全或误导通现象。

    兼容性和支持


    WNMD2176 采用 SOT-23-6L 封装,方便与其他常见的小型封装器件进行互换。Will Semiconductor Ltd. 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用该器件的优势。

    常见问题与解决方案


    问题 1: 温度升高导致器件失效
    解决方案: 选择合适的散热措施,如加装散热片或风扇,并确保散热路径畅通。注意避免连续高功率操作,合理安排脉冲宽度和工作周期。
    问题 2: 导通电阻过高
    解决方案: 调整栅极驱动电压至推荐值,确保 MOSFET 完全导通。同时检查焊接质量,避免虚焊或短路现象。
    问题 3: 寿命过短
    解决方案: 确保操作条件在额定范围内,避免超过绝对最大额定值。此外,定期检查和维护设备,防止因外部因素导致器件损坏。

    总结和推荐


    WNMD2176 作为一款高性能 N-Channel MOSFET,以其出色的导通电阻、低阈值电压和小型化封装等特点,在多种应用中表现出色。无论是直流-直流转换、电源开关还是负载切换,WNMD2176 都能提供可靠且高效的解决方案。鉴于其广泛的应用范围和优秀的性价比,强烈推荐在相关领域的产品设计中选用 WNMD2176。

WNMD2176-6/TR参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 2.6A
栅极电荷 3.1nC@ 4.5V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 4.5V,2.5A
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-23-6L

WNMD2176-6/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNMD2176-6/TR数据手册

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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNMD2176-6/TR WNMD2176-6/TR数据手册

WNMD2176-6/TR封装设计

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