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WPM2083-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 900mW 8V 5.8nC@ 4.5V 20V 110mΩ@ 4.5V 2.2A 444pF@ 10V SOT-23
供应商型号: WPM2083-3/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WPM2083-3/TR

WPM2083-3/TR概述

    # WPM2083 单通道P沟道增强型MOSFET技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    WPM2083 是一款由 Will Semiconductor Ltd. 生产的单通道P沟道增强型功率场效应晶体管(P-Channel Enhancement MOSFET)。它采用了先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(on))并具有较低的栅极电荷,特别适合用于直流-直流转换器、电源开关电路以及便携式设备的负载/功率开关等领域。
    主要功能
    - 支持电压范围:-20V
    - 最大连续漏极电流:-2.4A(TA=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C至150°C
    - 小型化封装:SOT-23
    应用领域
    WPM2083 广泛应用于以下场景:
    - 直流-直流变换器
    - 电源供应器及转换电路
    - 移动设备中的负载/电源开关

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS -20 V |
    | 零门极电压漏极电流 | IDSS -1 µA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 81@VGS=-4.5V, 110@VGS=-2.5V mΩ |
    | 输入电容 | CISS 486 pF |
    | 输出电容 | COSS 62 pF |
    | 反向传输电容 | CRSS 48 pF |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 先进沟槽技术:确保高效的能量转换效率。
    2. 高密度单元设计:减少体积的同时提高性能。
    3. 极低阈值电压:易于驱动。
    4. 紧凑型SOT-23封装:便于集成到各种小型化电子产品中。
    市场竞争力
    相比同类产品,WPM2083凭借其优秀的导通电阻、更低的工作温度范围以及较小的尺寸,在众多竞争者中脱颖而出。此外,无铅无卤的设计也符合环保要求,进一步增强了产品的市场吸引力。

    应用案例和使用建议


    应用场景分析
    - DC/DC转换器:由于具备良好的热管理和低功耗特性,非常适合需要长时间稳定工作的场合。
    - 电源供应转换电路:可有效降低整体系统的功耗,延长电池寿命。
    - 便携式设备中的负载/电源开关:满足对小型化和轻量化的需求。
    使用建议
    为了最大化利用WPM2083的优势,建议如下:
    - 在设计时充分考虑散热措施,特别是在高温环境下使用时。
    - 注意正确的布局布线以避免不必要的寄生效应影响性能。
    - 根据具体的应用需求选择合适的驱动电路来优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    WPM2083与大多数主流的电子元件具有良好的兼容性,能够轻松集成进现有的电路设计中。同时,制造商提供了详细的文档和技术支持服务,帮助用户快速上手并解决问题。
    支持信息
    Will Semiconductor Ltd. 提供全面的技术支持,包括但不限于样品申请、开发工具包以及专业的技术支持团队,以确保客户的项目顺利推进。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机后无法正常工作 | 检查供电电压是否正确 |
    | 发热严重 | 改善散热设计或增加外部风扇 |
    | 输出电流不足 | 调整输入电压或更换更高额定值的产品 |

    总结和推荐


    综合评估
    总体来看,WPM2083是一款性能优异、可靠性高的电子元器件,尤其适用于需要高性能且对空间有限制的应用场景。其先进的制造工艺保证了长期稳定的运行表现,而紧凑的外形尺寸则为设计师带来了极大的灵活性。
    推荐结论
    对于寻求高效能、高稳定性的P沟道增强型MOSFET解决方案的工程师来说,WPM2083无疑是一个理想的选择。无论是从技术指标还是性价比角度来看,它都展现了强大的市场竞争力。因此,我们强烈推荐将WPM2083纳入您的项目考量之中。

WPM2083-3/TR参数

参数
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
栅极电荷 5.8nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 444pF@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 900mW
Id-连续漏极电流 2.2A
通用封装 SOT-23
包装方式 卷带包装

WPM2083-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WPM2083-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WPM2083-3/TR WPM2083-3/TR数据手册

WPM2083-3/TR封装设计

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