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WNM3013-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.6nC@ 10V 1.2Ω@10V,450mA 250mA SOT-723
供应商型号: 26M-WNM3013-3/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM3013-3/TR

WNM3013-3/TR概述

    # WNM3013 MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    WNM3013 是一款由 Will Semiconductor Ltd. 生产的小信号N-通道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它采用了先进的沟槽技术和高密度单元设计,适用于小型信号开关的应用。
    主要功能
    - 低导通电阻:具备出色的RDS(on),确保高效运行。
    - 耐高电压:最高承受50V的漏源电压。
    - 小封装:采用SOT-723封装,适合便携式设备应用。
    应用领域
    - 驱动器:可用于继电器、电磁阀、灯泡、锤子等驱动电路。
    - 电源转换器电路:在电源供应系统中用于开关控制。
    - 负载/功率开关:适用于便携式设备的负载或功率开关。

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压 (VDS):50V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA=25°C 时:0.27A (0.25A)
    - TA=70°C 时:0.21A (0.20A)
    - 最大耗散功率 (PD):
    - TA=25°C 时:0.44W (0.38W)
    - TA=70°C 时:0.28W (0.24W)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):1.0A
    - 工作结温 (TJ):-55°C 到 150°C
    - 引脚温度 (TL):260°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 到 150°C
    电气特性
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):1μA @ VDS = 24V, VGS = 0V
    - 门源泄漏电流 (IGSS):±5μA @ VDS = 0V, VGS = ±20V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 0.45A 时:1.2Ω
    - VGS = 4.5V, ID = 0.25A 时:1.3Ω
    - VGS = 4.0V, ID = 0.25A 时:1.4Ω
    - VGS = 2.5V, ID = 0.01A 时:1.9Ω
    - VGS = 1.8V, ID = 0.01A 时:4.0Ω
    - 转导电导 (gfs):0.5S @ VDS = 15V, ID = 0.1A

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 先进的沟槽技术:提供出色的RDS(on)性能。
    - 高密度单元设计:确保高效的电流处理能力。
    - ESD保护:HBM ESD保护>2kV。
    - 小型封装:采用SOT-723封装,适合便携式设备应用。
    在应用中的重要性和市场竞争力
    WNM3013在众多应用中表现出色,如驱动器和电源转换电路,特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的情况下,具有显著的优势。此外,其耐高电压和小型化的特点使其在市场上具有较强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 驱动器应用:用于控制电磁阀、灯泡等。
    - 电源转换器电路:作为电源开关使用,实现高效能的电力转换。
    - 便携式设备:应用于需要小尺寸和低功耗的便携式设备中。
    使用建议
    - 散热管理:由于连续工作下的电流限制,建议通过良好的散热措施来确保长期稳定运行。
    - 选择合适的工作电压:根据不同的应用需求选择合适的VGS值,以达到最佳的RDS(on)表现。
    - ESD防护:在使用过程中注意对ESD的防护,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与现有系统的兼容性:WNM3013可直接替代许多现有的小型信号MOSFET,广泛适用于多种现有的电子系统。
    - 与其他元器件的兼容性:适用于标准焊接工艺,易于集成到现有电路中。
    厂商支持
    - 技术支持:Will Semiconductor Ltd. 提供详细的技术文档和客户支持服务。
    - 保修政策:提供全面的质量保证,具体详情请参考官方网站上的保修条款。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题一:工作温度过高导致热关断。
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或使用散热器。

    - 问题二:长时间过载运行导致器件失效。
    - 解决方案:在设计电路时考虑适当的电流限制和过载保护机制。

    - 问题三:ESD损坏器件。
    - 解决方案:在设计中加入适当的ESD防护措施,如使用ESD防护二极管。

    总结和推荐


    综合评估
    WNM3013是一款高性能的小信号N-通道MOSFET,具有低导通电阻、高耐压和小封装等特点。它在各种应用场景中表现出色,特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
    推荐使用
    综上所述,WNM3013是一款值得推荐的产品,特别适用于驱动器、电源转换器电路以及便携式设备中的负载/功率开关。对于需要高效能和小型化解决方案的设计人员,WNM3013是一个理想的选择。

WNM3013-3/TR参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@10V,450mA
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 1.6nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 250mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-723

WNM3013-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM3013-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM3013-3/TR WNM3013-3/TR数据手册

WNM3013-3/TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 0.2251
50+ ¥ 0.197
100+ ¥ 0.1576
500+ ¥ 0.1433
1000+ ¥ 0.1313
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