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WNM2021-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 780mW 6V 850mV 1.15nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 320mΩ@ 1.8V,0.35A 820mA 50pF SOT-323 贴片安装
供应商型号: 26M-WNM2021-3/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM2021-3/TR

WNM2021-3/TR概述

    # WNM2021 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WNM2021 是一款N-Channel增强型MOS场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽技术设计,主要用于直流到直流转换电路、小信号开关、负载开关和电平移位电路。此型号采用了小型封装SOT-323,适合空间受限的应用场合。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS):20V
    - 连续漏极电流(ID):0.89A @ TA=25°C
    - 最大功率耗散(PD):0.78W @ TA=25°C
    - 脉冲漏极电流(IDM):1.4A
    - 工作结温(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 零门电压漏极电流(IDSS):1uA
    - 栅源泄漏电流(IGSS):5uA
    - 开启栅压(VGS(TH)):0.45V 至 0.85V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.220Ω @ VGS=4.5V, 0.260Ω @ VGS=2.5V, 0.320Ω @ VGS=1.8V
    - 转导电容(gFS):2.0 S
    - 输入电容(CISS):50 pF
    - 输出电容(COSS):13 pF
    - 反向传输电容(CRSS):8 pF
    - 门总电荷(QG(TOT)):1.15 nC
    - 阈值门电荷(QG(TH)):0.06 nC
    - 栅源电荷(QGS):0.15 nC
    - 栅漏电荷(QGD):0.23 nC
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间(td(ON)):22 ns
    - 上升时间(tr):80 ns
    - 关闭延迟时间(td(OFF)):700 ns
    - 下降时间(tf):380 ns
    - 热阻抗:
    - 结到环境的热阻(RθJA):325°C/W(稳态)
    - 结到环境的热阻(RθJC):260°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    WNM2021 MOSFET 具有以下几个显著特点和优势:
    - 采用先进的沟槽技术和高密度单元设计,使得其具有非常低的开启栅压(VGS(TH))。
    - 卓越的导通电阻(RDS(on)),可实现高效的能量转换。
    - 小巧的SOT-323封装,适用于紧凑型电路板设计。
    - 宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),提高了其在极端环境下的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 直流到直流转换电路:WNM2021 在直流到直流转换器中表现优异,由于其低导通电阻(RDS(on)),可以降低功耗并提高效率。
    - 小信号开关:作为小信号开关时,其低导通电阻和低栅压使其在低功率应用中表现出色。
    - 负载开关:在负载开关应用中,WNM2021 的快速开关速度和低损耗使其成为理想的候选者。
    - 电平移位:由于其稳定的栅源泄漏电流和高耐压能力,WNM2021 也适用于电平移位电路。
    使用建议
    - 散热管理:尽管 WNMM2021 具有较好的热阻抗,但在大电流情况下仍需注意散热,避免因过热导致器件损坏。
    - 引脚布局:在PCB设计时,确保良好的接地和引脚布局,以提高电路的整体稳定性。
    - 测试验证:在实际应用前,建议进行充分的测试验证,确保器件符合预期的应用需求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WNM2021 与市面上常见的SOT-323封装相兼容,适用于多种标准PCB布局。
    - 支持服务:由 Will Semiconductor Ltd. 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、样品申请、技术支持和售后保障等。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定最大漏极电流?
    解答:在典型应用条件下,WNM2021的最大漏极电流为0.89A(@TA=25°C)。在具体应用中,应考虑器件的热管理来确保不超过最大额定值。
    问题2:如何优化电路的散热?
    解答:使用大面积的散热铜箔和适当的散热片可以有效提高器件的散热性能。确保PCB的铜箔连接良好,使热量能够有效地传导出去。
    问题3:是否需要外部栅极电阻?
    解答:在某些情况下,可能需要添加外部栅极电阻以控制开关速度和降低EMI。一般建议参考制造商提供的应用指南。

    总结和推荐


    WNM2021 是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,特别适用于需要低导通电阻、高开关速度和紧凑封装的应用。其卓越的性能、广泛的适用范围和良好的市场口碑,使其成为各类电子设计的理想选择。因此,我们强烈推荐在相关应用中采用 WNM2021。

WNM2021-3/TR参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 780mW
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 1.15nC@ 4.5V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 320mΩ@ 1.8V,0.35A
Vgs-栅源极电压 6V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 850mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF
Id-连续漏极电流 820mA
FET类型 2个N沟道
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WNM2021-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM2021-3/TR数据手册

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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM2021-3/TR WNM2021-3/TR数据手册

WNM2021-3/TR封装设计

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