处理中...

首页  >  产品百科  >  WNM7002-3/TR

WNM7002-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 0.26nC@ 4.5V 3.7Ω@10V,300mA 280mA SOT-23
供应商型号: 30C-WNM7002-3/TR SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM7002-3/TR

WNM7002-3/TR概述

    WNM7002 N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WNM7002 是一款单N通道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由Will Semiconductor有限公司生产。其额定电压为60V,连续漏极电流最大可达0.3A,适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用。该产品采用先进的沟槽技术制造,以提供出色的导通电阻和低栅极电荷,同时无铅化处理符合环保标准。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压(VDS):60V
    - 连续漏极电流(ID):0.3A @ 25°C,0.24A @ 70°C
    - 最大功率耗散(PD):0.96W @ 25°C,0.61W @ 70°C
    - 脉冲漏极电流(IDM):1.2A
    - 最大操作结温(TJ):-55°C 至 150°C
    - 引脚温度(TL):260°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 150°C
    - 热阻抗(RθJA):105°C/W 至 130°C/W(稳态)
    - 电学特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):60V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
    - 栅源漏电流(IGSS):±5uA
    - 门限电压(VGS(TH)):1.0V 至 2.0V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):3.7Ω @ 10V, 0.3A;3.8Ω @ 4.5V, 0.2A
    - 输入电容(CISS):14.4pF
    - 输出电容(COSS):5.1pF
    - 反向传输电容(CRSS):0.27pF
    - 门总电荷(QG):0.26nC 至 0.41nC
    - 开关延迟时间(td(ON)):5.2ns
    - 开关上升时间(tr):17.2ns
    - 关断延迟时间(td(OFF)):32.4ns
    - 开关下降时间(tf):19.0ns
    - 体二极管正向电压(VSD):0.8V 至 1.2V

    3. 产品特点和优势


    WNM7002 采用了先进的沟槽技术设计,具有高密度单元结构,确保了低栅极电荷和低导通电阻。其超低阈值电压(VGS(TH))使得它非常容易驱动,同时也提升了效率。此外,小型化的SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用场合,例如便携式设备和移动设备。

    4. 应用案例和使用建议


    WNM7002 主要应用于直流/直流转换器、电源供应转换电路和便携设备的负载/功率开关。由于其高效能和小体积,它在消费电子、通信设备和工业自动化等领域均有广泛应用。
    使用建议:
    - 在选择电源管理IC时,考虑WNM7002的低RDS(on),可以显著降低功耗,提高系统效率。
    - 针对高温环境下的应用,注意散热设计,确保结温不超过150°C。

    5. 兼容性和支持


    WNM7002 与市场上常见的其他标准电源管理IC具有良好的兼容性。Will Semiconductor提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的数据手册和技术文档下载、在线技术支持等。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 温度超过规定值时如何保护?
    - A: 在设计中加入过热保护电路,当检测到结温接近150°C时,自动切断电源。

    - Q: 如何减少RDS(on)的影响?
    - A: 通过优化电路设计和布局,尽量减少电路板上其他组件对寄生电容的影响,并合理分配电路中的其他元件,如并联多个MOSFET。

    7. 总结和推荐


    WNM7002 N-Channel MOSFET凭借其卓越的性能参数和小巧的封装,成为高效、紧凑电源解决方案的理想选择。在实际应用中,其超低导通电阻和高效驱动特性能够显著提升系统性能和可靠性。因此,对于需要高性能、小尺寸解决方案的设计工程师而言,强烈推荐选用WNM7002。

WNM7002-3/TR参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7Ω@10V,300mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
栅极电荷 0.26nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 280mA
通用封装 SOT-23

WNM7002-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM7002-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM7002-3/TR WNM7002-3/TR数据手册

WNM7002-3/TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.4682
200+ ¥ 0.1557
1500+ ¥ 0.0974
3000+ ¥ 0.0672
库存: 610
起订量: 10 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.46
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336