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WPM1483-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 570mW 850mV@ 250uA 12V 37mΩ@ 4.5V,3.5A 3.2A SOT-23 贴片安装
供应商型号: WPM1483-3/TR
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WPM1483-3/TR

WPM1483-3/TR概述


    产品简介


    产品名称:单P沟道增强型功率MOSFET
    产品类型:单P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - 适用于直流到直流转换(DC-DC转换)
    - 适用于电源开关
    - 适用于充电电路
    应用领域:
    - 驱动继电器、电磁阀、电机、LED等
    - 适用于电源管理领域,包括电池充电电路
    - 广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | -12 | -12 | -12 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±8 | ±8 | ±8 | V |
    | 漏极连续电流(ID) | -3.5 | -3.2 | -3.5 | A |
    | 最大耗散功率(PD) | 0.74 | 0.57 | 0.74 | W |
    | 极限脉冲漏极电流(IDM) | -10 | -10 | -10 | A |
    | 最大结温(TJ) | 150 | 150 | 150 | °C |
    | 存储温度范围(Tstg) | -55 | 150 | 150 | °C |
    | 击穿电压(BVDSS) | -12 | -12 | -12 | V |
    | 通态电阻(RDS(on)) | 31 | 37 | 88 | mΩ |
    | 传输电导(gfs) | 8.5 | 8.5 | 8.5 | S |
    | 输入电容(CISS) | 1152 | 1152 | 1152 | pF |
    | 输出电容(COSS) | 253 | 253 | 253 | pF |
    | 反向转移电容(CRSS) | 236 | 236 | 236

    产品特点和优势


    1. 先进沟槽技术:采用先进的沟槽制造工艺,确保低栅极电荷和高导通电阻。
    2. 高密度单元设计:提高了电流承载能力,保证了高效的能源利用。
    3. 低阈值电压:确保了快速开关操作,减少了开关损耗。
    4. 小封装尺寸:SOT-23封装,适合空间受限的应用场景。
    5. 无卤素和铅自由:环保材料,适用于绿色电子应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在继电器、电磁阀、电机、LED驱动电路中作为开关使用。
    - 用于直流到直流转换器中的功率开关。
    - 在电池充电电路中作为开关,实现高效能量传递。
    使用建议:
    - 在使用时需注意散热设计,特别是长时间高负载工作时,以避免过热损坏。
    - 确保工作电压和电流不超过最大额定值,防止损坏。
    - 考虑到其极低的导通电阻,建议在设计时充分利用其高效率的特点,减少能量损耗。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品具有良好的通用性和广泛的适用性,可以与其他标准电路板和相关器件轻松集成。
    支持:
    - Will Semiconductor提供详细的文档和应用指南。
    - 客户支持团队可提供技术支持和产品咨询。
    - 厂商还提供了在线资源和社区,帮助用户解决问题和获取最新的产品信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过热?
    - 解决方案:设计良好的散热方案,使用散热片或散热器来提高散热效率。
    2. 问题:如何避免电路损坏?
    - 解决方案:确保所有工作条件(如电压、电流)都在额定范围内,并考虑添加过流保护电路。
    3. 问题:如何改善开关速度?
    - 解决方案:选择较低的栅极电阻,以加快开关速度并减少开关时间。

    总结和推荐


    总体来看,Will Semiconductor Ltd. 的单P沟道增强型功率MOSFET(型号WPM1483)是一款高性能、高可靠性的产品。它具有优异的导通电阻和极低的栅极电荷,适用于各种需要高效电源管理和驱动应用的场景。推荐在需要高效率和高可靠性的电源管理电路中使用。该产品的环保特性和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。

WPM1483-3/TR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 850mV@ 250uA
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 37mΩ@ 4.5V,3.5A
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 570mW
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 3.2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 12V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WPM1483-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WPM1483-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WPM1483-3/TR WPM1483-3/TR数据手册

WPM1483-3/TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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6000+ ¥ 0.2686
9000+ ¥ 0.2632
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