处理中...

首页  >  产品百科  >  BR2N7002K2

BR2N7002K2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 350mW 2.5V@ 250uA 60V 2.3Ω@10V,500mA 300mA SOT-23 贴片安装
供应商型号: 14M-BR2N7002K2 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BLUE ROCKET/佛山蓝箭电子 场效应管(MOSFET) BR2N7002K2

BR2N7002K2概述

    # BR2N7002K2 N沟道MOS场效应管技术手册

    产品简介


    基本介绍
    BR2N7002K2是一款N沟道MOS场效应晶体管,采用SOT-23塑料封装。这款产品以其高灵敏度的控制级触发电流和极低的维持电流而著称,同时具备2KV的静电保护能力。由于其无卤素的环保特性,BR2N7002K2适用于广泛的电子设备,特别是在一般开关和相位控制应用中表现卓越。

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压(VDSS):60V
    - 漏栅电压(VDGR):60V
    - 漏极连续电流(ID):300mA
    - 漏极脉冲电流(IDM):1200mA(10us脉冲宽度,占空比≤1%)
    - 栅源电压(VGSS):±20V
    - 功耗(PD):350mW
    - 存储温度范围(Tstg):-55~150℃
    电气特性
    - 漏源击穿电压(VDSS):60V(VGS=0, ID=10μA)
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1.0μA(VGS=0, VDS=60V)
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±10μA(VDS=0V, VGS=±20V)
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):2.3Ω(VGS=10V, ID=0.5A),1.7Ω~2.7Ω(VGS=5V, ID=0.05A)
    - 漏源二极管正向电压(VSD):1.5V(VGS=0V, IS=250mA)
    - 转导特性(Yfs):80mS(VDS=10V, ID=0.2A)
    - 开启时间(td(on)):20ns(VDD=25V, ID=500mA, RG=25Ω, RL=25Ω, Vgen=10V)
    - 关闭时间(td(off)):40ns
    - 输入电容(Ciss):50pF(Vds=25V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):25pF
    - 反向转移电容(Crss):5pF

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    1. 高灵敏度:极低的触发电流使得BR2N7002K2能够快速响应控制信号。
    2. 低功耗:低维持电流和高效能的设计使其非常适合于电池供电的设备。
    3. 优异的静电保护:高达2KV的静电保护能力,大大增强了产品的可靠性和耐用性。
    4. 无卤素设计:符合环保要求,适用于对材料要求较高的场合。
    应用领域
    - 通用开关
    - 相位控制

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 通用开关应用:BR2N7002K2可以在许多需要开关控制的电路中发挥作用,如照明系统、电源管理系统等。
    - 相位控制应用:在电机驱动、调光灯等领域,BR2N7002K2可提供精确的相位控制。
    使用建议
    1. 匹配外部电路:确保外部电路的电压和电流符合BR2N7002K2的额定值。
    2. 散热管理:尽管BR2N7002K2具有一定的功率承受能力,但长期工作在高负载条件下仍需注意散热问题。
    3. 静电防护:操作过程中应采取必要的静电防护措施,以避免损坏设备。

    兼容性和支持


    兼容性
    BR2N7002K2的设计使其易于集成到现有的电子系统中,与同类产品兼容性良好。
    厂商支持
    供应商提供了详细的安装指南和技术支持,帮助用户顺利使用BR2N7002K2。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 启动时发热严重
    2. 工作时电压不稳定
    解决方案
    1. 增加散热措施:在高温环境下工作时,考虑添加散热片或强制风冷来降低温度。
    2. 检查电源稳定性:确保输入电压稳定且在额定范围内,必要时添加稳压器。

    总结和推荐


    综合评估
    BR2N7002K2凭借其高灵敏度、低功耗、优异的静电保护和无卤素设计,在广泛的应用领域中表现出色。其出色的性能使其成为一款非常值得推荐的产品。
    结论
    BR2N7002K2是一个可靠且高效的N沟道MOS场效应管,适用于各种需要开关控制和相位控制的场合。我们强烈推荐此产品用于需要高性能、长寿命和良好兼容性的项目中。

BR2N7002K2参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3Ω@10V,500mA
FET类型 -
最大功率耗散 350mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Id-连续漏极电流 300mA
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

BR2N7002K2厂商介绍

BLUE 是一家高科技公司,专注于研发和生产先进的电子产品和解决方案。公司主营产品分为以下几类:

1. 智能硬件:包括智能家居设备、智能穿戴设备等,旨在提升用户的生活质量和便利性。

2. 软件解决方案:提供企业级软件解决方案,如ERP系统、CRM系统等,帮助企业提高运营效率。

3. 通信技术:涉及5G、6G通信技术的研发,推动通信行业的技术进步。

4. 人工智能:开发AI算法和应用,如机器学习、自然语言处理等,应用于医疗、教育等多个领域。

BLUE 的优势在于:

- 创新能力:拥有强大的研发团队,不断推出创新产品和技术。
- 客户服务:提供卓越的客户服务,确保客户满意度。
- 市场洞察:对市场趋势有深刻理解,能够快速响应市场需求。
- 技术领先:在多个领域拥有核心技术,保持行业领先地位。

公司致力于通过技术创新,为全球用户提供高质量的产品和服务。

BR2N7002K2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BLUE ROCKET/佛山蓝箭电子 场效应管(MOSFET) BLUE ROCKET/佛山蓝箭电子 BR2N7002K2 BR2N7002K2数据手册

BR2N7002K2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.0618
1000+ ¥ 0.058
3000+ ¥ 0.0545
10000+ ¥ 0.0519
30000+ ¥ 0.0509
50000+ ¥ 0.0495
库存: 2896
起订量: 100 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 6.18
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336