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NCE40TD120WT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NCE40TD120WT TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 600
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE40TD120WT

NCE40TD120WT概述

    NCE40TD120WT 1200V, 40A Trench FS II Fast IGBT

    产品简介


    NCE40TD120WT是由无锡纳芯微电子有限公司研发的一种先进的功率半导体器件,采用了NCE自主开发的沟槽技术和第二代场截止(FS II)技术。它适用于焊接等高压工业应用,是一款具有高效能和可靠性强的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。此产品具有低导通电压、高速开关特性和正温度系数的导通电压,这些特性使其在众多应用场合下表现出色。

    技术参数


    - 基本规格:1200V, 40A, TO-247封装
    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压(VCES):1200V
    - 栅极-发射极电压(VGES):±30V
    - 集电极电流(IC):80A,40A@100℃
    - 脉冲集电极电流(ICplus):160A
    - 反向安全工作区:160A@1200V,Tj=175℃
    - 二极管连续正向电流(IF):40A
    - 二极管最大正向电流(IFM):160A
    - 功率耗散(PD):25℃时468W,100℃时234W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55℃至+175℃
    - 热阻特性:
    - 结至壳体热阻(RθJC):IGBT为0.32°C/W,二极管为0.75°C/W
    - 结至环境热阻(RθJA):40°C/W
    - 电气特性:
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CES):1200V
    - 集电极-发射极漏电流(ICES):200μA
    - 门极到发射极前向泄漏(IGES(F)):200nA
    - 门极到发射极反向泄漏(IGES(R)):200nA
    - 导通电压(VCE(sat)):Tj=25℃时1.9-2.2V,Tj=175℃时2.2-2.6V
    - 门限电压(VGE(th)):4.5-6.5V
    - 动态特性:
    - 输入电容(Cies):6190pF
    - 输出电容(Coes):185pF
    - 反向转移电容(Cres):133pF
    - 总栅极电荷(Qg):242nC
    - 门极到发射极电荷(Qge):51nC
    - 门极到集电极电荷(Qgc):115nC
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间(td(ON)):19ns
    - 上升时间(tr):17ns
    - 关断延迟时间(td(OFF)):170ns
    - 下降时间(tf):18ns
    - 开启损耗(Eon):2.1mJ
    - 关断损耗(Eoff):1.2mJ
    - 总开关损耗(Ets):3.3mJ

    产品特点和优势


    - 先进工艺技术:采用NCE自主开发的沟槽技术,提供卓越的传导和开关性能。
    - 低导通电压:最低导通电压可达1.9V(Tj=25℃),这使得系统整体效率更高。
    - 高稳定性:非常紧密的参数分布和高温稳定行为,确保长期稳定运行。
    - 大电流处理能力:可承受高达80A的集电极电流,在脉冲条件下更是高达160A,满足重负载需求。
    - 兼容性强:适用于多种焊接设备,具有良好的并联操作性能。

    应用案例和使用建议


    NCE40TD120WT特别适合于焊接设备,因为它的高电流处理能力和出色的热性能使其能够有效地管理焊接过程中的大电流负载。在实际应用中,用户应注意以下几点以优化性能:
    - 确保散热系统良好,避免因过热而导致性能下降。
    - 使用适当的栅极电阻,确保稳定的开启和关闭特性。
    - 在高功率应用中,确保电路设计考虑到了足够的缓冲措施,以防止意外损坏。

    兼容性和支持


    该产品适用于各种焊接设备和其他高压工业应用,与其他类似规格的IGBT兼容。NCE公司提供了详尽的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:开机后器件发热严重。
    - 解决方法:检查散热片是否安装正确且有效,调整电路中的栅极电阻以改善开关特性。
    - 问题:在高频切换时效率低下。
    - 解决方法:选用合适的门极驱动器,优化电源布局减少寄生电感,从而降低开关损耗。

    总结和推荐


    NCE40TD120WT是一款高性能的IGBT产品,具备优良的导通和开关特性,非常适合应用于高压工业环境。其独特的技术特点和卓越的性能使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐用于需要高可靠性和高效率的应用场合。

NCE40TD120WT参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
通用封装 TO-247

NCE40TD120WT厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE40TD120WT数据手册

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NCE40TD120WT封装设计

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