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NCEP063N85G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 100mW 1个N沟道 85V 90mA DFN-5
供应商型号: NCEP063N85G DFN-8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP063N85G

NCEP063N85G概述

    # NCEP063N85G N-Channel Super Trench II Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCEP063N85G 是由无锡南车电力半导体有限公司生产的一款 N 沟道超级沟槽 II 型功率 MOSFET。该器件采用 Super Trench II 技术,特别优化以提供高效的高频开关性能。它的主要应用包括 DC/DC 转换器、高频开关及同步整流。NCEP063N85G 以其卓越的性能和广泛的适用性,在多种电子产品中都有出色表现。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 85 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 90 | A |
    | 连续漏极电流(100℃) | ID (100℃) | 66 | A |
    | 单脉冲漏极电流 | IDM | 360 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 100 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 423 | mJ |
    电气特性(25℃时)
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 85 | - | - | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | VDS=85V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 栅体漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=45A | - | 5.5 | 6.3 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | - | 3100 | - | - | PF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 483 | - | PF |
    | 反向转移电容 | Crss | VDS=40V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 28 | - | PF |
    | 开关时间延迟 | td(on) | - | 13.5 | - | - | nS |
    | 开启上升时间 | tr | - | 11 | - | - | nS |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 32 | - | - | nS |
    | 关闭下降时间 | tf | VDD=40V, ID=45A, VGS=10V, RG=1.6Ω | - | 11 | - | nS |
    | 总栅电荷 | Qg | - | - | 51 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 17.7 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | VDS=40V, ID=45A, VGS=10V | - | 13.3 | - | nC |
    | 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=45A | - | 1.2 | - | V |
    | 二极管正向电流 | IS | - | - | - | 90 | A |
    | 反向恢复时间 | trr | - | - | 58 | - | nS |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | TJ = 25°C, IF = 45A | - | 74 | - | nC |

    产品特点和优势


    1. 高频性能:NCEP063N85G 采用 Super Trench II 技术,具有低导通电阻(典型值为 5.5mΩ)和低栅电荷特性,能够提供高效的高频开关性能。
    2. 高可靠性:该器件能够在高达 150℃ 的温度下稳定工作,并通过 100% 的 UIS 测试和 ΔVds 测试,确保长期可靠性。
    3. 环保材料:采用无铅镀层,符合环保标准。
    4. 低功耗:极低的导通电阻和栅电荷使得总功耗显著降低,有助于提高系统的整体效率。
    5. 快速开关:具有极短的开关时间(典型值为 13.5ns),适用于需要快速响应的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器:在高频 DC/DC 转换器中,NCEP063N85G 可用于同步整流,从而实现高效能的电源转换。
    - 高频开关:在需要高频开关性能的应用中,如通信设备和工业控制设备,NCEP063N85G 能够提供出色的开关性能。
    使用建议
    - 散热设计:由于该器件的功耗较大,应确保良好的散热设计,以避免过热导致的性能下降。
    - 驱动电路设计:选择合适的栅极驱动电路,以确保稳定的开关性能。例如,可以通过调整栅极电阻来优化开关速度和减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NCEP063N85G 与市场上常见的电路板和焊料相兼容,适合表面贴装工艺。
    - 支持:无锡南车电力半导体有限公司提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指南、产品测试报告等文档,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或使用更有效的散热方式,如强制风冷或水冷。
    2. 问题:器件出现高频噪声。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保栅极电阻的选择合适,避免高频振荡。可以添加适当的滤波电容来减小噪声。
    3. 问题:器件的漏电流过高。
    - 解决方案:检查焊接质量和 PCB 设计,确保良好的电气连接。必要时更换焊接点或重新焊接。

    总结和推荐


    NCEP063N85G 是一款性能优异的 N 沟道超级沟槽 II 型功率 MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性和出色的高频开关性能。其广泛应用于 DC/DC 转换器、高频开关等领域。在使用过程中,需要注意散热设计和驱动电路的设计,以确保最佳性能。总体而言,NCEP063N85G 在高频和高效电源转换应用中表现出色,强烈推荐使用。

NCEP063N85G参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 85V
最大功率耗散 100mW
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 90mA
通用封装 DFN-5

NCEP063N85G厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP063N85G数据手册

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NCEP063N85G封装设计

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