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NCEP070N10AGU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 105mW 1个N沟道 100V 80mA DFN-5
供应商型号: NCEP070N10AGU DFN-8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP070N10AGU

NCEP070N10AGU概述


    产品简介


    NCEP070N10AGU 是无锡南车功率半导体有限公司生产的一款高性能N沟道超级Trench II型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用先进的Super Trench II技术,旨在提供高效能的高频开关性能。它特别适用于直流/直流转换器,以及其他需要高频率开关和同步整流的应用。

    技术参数


    基本参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\):100V
    - 漏极电流(连续)\(ID\):80A
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\):320A
    - 最大耗散功率 \(PD\):105W
    - 额定工作温度范围:-55℃ 至 150℃
    - 热阻(结至壳)\(R{\theta JC}\):1.2℃/W
    - 热阻(结至环境)\(R{\theta JA}\):50℃/W
    开启特性
    - 漏源开启电压 \(BVDSS\):100V(@ \(ID\) = 250μA)
    - 漏极开启电流 \(IDSS\):1μA(@ \(V{DS}\) = 100V, \(V{GS}\) = 0V)
    - 门体泄漏电流 \(IGSS\):±100nA(@ \(V{GS}\) = ±20V, \(V{DS}\) = 0V)
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\):1.2V 至 2.2V(@ \(ID\) = 250μA)
    通态电阻
    - \(R{DS(ON)}\):6.1mΩ(典型值 @ \(V{GS}\) = 10V)
    - \(R{DS(ON)}\):8.35mΩ(典型值 @ \(V{GS}\) = 4.5V)
    动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\):3650pF
    - 输出电容 \(C{oss}\):315pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\):22pF(@ \(V{DS}\) = 50V, \(V{GS}\) = 0V, f = 1.0MHz)
    - 开关时间特性
    - 导通延迟时间 \(td(on)\):16ns
    - 导通上升时间 \(tr\):11ns
    - 关断延迟时间 \(td(off)\):35ns
    - 关断下降时间 \(tf\):9ns(@ \(V{DD}\) = 50V, \(ID\) = 40A, \(V{GS}\) = 10V, \(RG\) = 1.6Ω)
    门极电荷
    - 总门极电荷 \(Qg\):70nC
    - 门极-源极电荷 \(Q{gs}\):14.5nC
    - 门极-漏极电荷 \(Q{gd}\):16.8nC

    产品特点和优势


    1. 高效的高频开关性能:采用Super Trench II技术,使得该MOSFET具有极低的导通电阻(\(R{DS(ON)}\))和栅极电荷乘积(FOM),从而有效降低传导和开关损耗。
    2. 低导通电阻:典型的 \(R{DS(ON)}\) 仅为6.1mΩ(@ \(V{GS}\) = 10V),显著提高系统的整体效率。
    3. 宽温度范围:能够在-55℃至150℃的极端温度范围内稳定工作,适合于各种恶劣环境的应用。
    4. 无铅镀层:采用环保的无铅镀层,符合RoHS标准,更加环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品广泛应用于DC/DC转换器,尤其是在高频率开关和同步整流应用中表现优异。例如,在数据中心的电源管理系统中,可以作为关键部件以提高系统效率。
    使用建议
    1. 散热管理:考虑到该MOSFET的最大耗散功率为105W,设计时应充分考虑散热措施,如增加散热片或风扇。
    2. 驱动电路:为了优化开关特性,驱动电路的设计也非常重要。确保门极驱动电阻 \(RG\) 合适,避免振铃现象。
    3. 保护措施:使用保护电路,如软启动和过温保护,可以进一步提高系统的可靠性。

    兼容性和支持


    该产品支持DFN5X6-8L封装,广泛用于各种电路板设计。无锡南车提供了详细的技术文档和支持服务,用户可以通过官方网站获取更多资源。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 优化散热设计,使用外部散热片或风扇。 |
    | 开关损耗较大 | 优化驱动电路,减少门极电荷 \(Qg\)。 |
    | 输出不稳定 | 检查门极驱动信号的质量,确保无干扰。 |

    总结和推荐


    综上所述,NCEP070N10AGU 是一款具备高性能和广泛应用潜力的功率MOSFET。其低导通电阻和优秀的高频开关性能使其成为高可靠性应用的理想选择。特别是对于需要高效能、宽温度范围工作的场合,强烈推荐使用这款产品。不过,设计时需注意散热和保护措施,以确保长期稳定运行。

NCEP070N10AGU参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 80mA
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 105mW
通用封装 DFN-5

NCEP070N10AGU厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP070N10AGU数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP070N10AGU NCEP070N10AGU数据手册

NCEP070N10AGU封装设计

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