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NCE70T360F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 32.6W 30V 3.5V 1个N沟道 700V 390mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 11.5A TO-220F-3
供应商型号: NCE70T360F
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE70T360F

NCE70T360F概述

    # NCE70T360 系列超级结功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE70T360 系列是无锡 NCE Power 公司推出的高性能 N 沟道超级结功率 MOSFET,采用先进的沟槽栅极超级结技术设计。此系列产品以其卓越的低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷(Qg)特性,广泛应用于 PFC(功率因数校正)、AC/DC 开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及其他工业电源系统中。
    主要特点:
    - 新型高压器件技术
    - 低导通电阻与低导通损耗
    - 小巧封装设计
    - 极低门极电荷要求
    - 符合 ROHS 标准
    - 全部产品均通过单脉冲雪崩测试
    应用领域:
    - 功率因数校正电路
    - 开关模式电源
    - 不间断电源系统
    - 工业级电源转换

    技术参数


    以下是 NCE70T360 系列产品的关键技术参数,适用于不同封装类型(TO-263、TO-220 和 TO-220F):
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | NCE70T360D | NCE70T360 | NCE70T360F |
    |
    | 最大漏源电压 (VGS=0V) | VDS | V | 700 | 700 | 700 |
    | 最大门源电压 (VDS=0V) | VGS | V | ±30 | ±30 | ±30 |
    | 连续漏极电流 (TC=25°C) | ID(DC) | A | 11.5 | 11.5 | 11.5 |
    | 连续漏极电流 (TC=100°C) | ID(DC) | A | 7 | 7 | 7 |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | mJ | 144 | 144 | 144 |
    | 最高功率耗散 (TC=25°C) | PD | W | 101 | 101 | 101 |
    | 最大结温范围 | TJ, TSTG | °C | -55…+150 | -55…+150 | -55…+150 |
    动态特性:
    - 输入电容:Clss = 870 pF
    - 输出电容:Coss = 54 pF
    - 反向转移电容:Crss = 1.8 pF
    - 总门极电荷:Qg = 19 nC
    - 门极-源极电荷:Qgs = 6 nC
    - 门极-漏极电荷:Qgd = 6.5 nC
    开关时间:
    - 开启延迟时间:td(on) = 12 ns
    - 开启上升时间:tr = 9 ns
    - 关闭延迟时间:td(off) = 61-70 ns
    - 关闭下降时间:tf = 11-14 ns

    产品特点和优势


    NCE70T360 系列具有多项显著优势:
    1. 高效能:凭借先进的超级结技术,实现超低导通电阻(典型值 330 mΩ),大幅降低功耗。
    2. 低功耗设计:极低的门极电荷降低了驱动功耗需求。
    3. 高可靠性:所有产品均经过严格的单脉冲雪崩测试,确保在极端条件下的稳定性。
    4. 广泛适用性:适用于高效率、紧凑型的设计需求,如消费类电子、通信设备及工业自动化等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCE70T360 系列常用于 PFC 和 AC/DC 转换器设计。例如,在 PFC 阶段,它可显著提升功率转换效率,同时减少发热和体积。
    使用建议
    1. 在高电流密度场景下,建议优先选择散热性能更优的 TO-263 封装。
    2. 当设计空间受限时,可以考虑 TO-220F 封装以节省空间。
    3. 在高频应用中,注意布局布线,避免门极震荡引起的开关损耗增加。

    兼容性和支持


    NCE70T360 系列与主流 PCB 设计工具兼容,支持行业标准接口。此外,无锡 NCE Power 提供详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户快速完成集成和调试。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 减小门极电阻 (RG),优化门极驱动波形 |
    | 热管理不足 | 增加散热片面积或改用 TO-263 封装 |
    | 雪崩击穿问题 | 检查电路保护机制,确保符合额定参数 |

    总结和推荐


    NCE70T360 系列是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合对效率和小型化有严格要求的应用场景。其优异的技术指标、广泛的适用性以及良好的市场反馈使其成为同类产品的佼佼者。我们强烈推荐这一系列 MOSFET 给需要高性能功率器件的设计师。
    推荐指数:★★★★★

NCE70T360F参数

参数
最大功率耗散 32.6W
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
Id-连续漏极电流 11.5A
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 700V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F-3

NCE70T360F厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE70T360F数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE70T360F NCE70T360F数据手册

NCE70T360F封装设计

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