处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE10TD60B

NCE10TD60B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NCE10TD60B TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE10TD60B

NCE10TD60B概述

    #

    产品简介


    NCE10TD60BF, NCE10TD60BD 和 NCE10TD60B 是无锡市尼凯半导体有限公司生产的600V、10A沟槽式FSII快速IGBT。它们采用先进的场停止第二代技术和自主研发的沟槽设计,具有优异的导通和开关性能,易于并联操作。这些IGBT广泛应用于空调系统、逆变器和电机驱动等领域。
    #

    技术参数


    - 主要

    技术参数

    :
    - 集电极-发射极电压(VCES): 600V
    - 栅极-发射极电压(VGES): ±30V
    - 持续集电极电流(IC): 10A (TC = 100°C)
    - 脉冲集电极电流(ICplus): 30A
    - 最大功耗(PD): 83W (TC = 25°C), 33W (TC = 100°C)
    - 工作结温范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最大焊接温度(TL): 260°C
    - 短路耐受时间(tsc): ≤3μs (VGE=15.0V, VCC≤400V, <1000次短路)
    - 热特性:
    - 结至外壳热阻(RθJC): IGBT为1.5℃/W,二极管为2.35℃/W
    - 结至环境热阻(RθJA): 65℃/W (TO-220),78℃/W (TO-220F)
    - 静态电气特性:
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CES): 600V
    - 集电极-发射极漏电流(ICES): 4uA
    - 栅极到发射极正向漏电流(IGES(F)): 100nA
    - 栅极到发射极反向漏电流(IGES(R)): 100nA
    - 栅极阈值电压(VGE(th)): 4.0V 至 6.0V
    - 动态电气特性:
    - 输入电容(Cies): 1127pF
    - 输出电容(Coes): 40pF
    - 反转传输电容(Cres): 24pF
    - 总栅极电荷(Qg): 44nC
    #

    产品特点和优势


    NCE10TD60BF, NCE10TD60BD 和 NCE10TD60B 的主要特点和优势如下:
    - 低饱和电压(VCE(sat)): 仅为1.7V至1.9V,有助于减少功率损耗。
    - 高速开关: 支持高频率应用,例如电机驱动和逆变器。
    - 正温度系数(Positive temperature coefficient in VCE(sat)): 在不同温度下表现稳定。
    - 紧密的参数分布(Very tight parameter distribution): 确保每个批次的器件性能一致。
    - 高鲁棒性(High ruggedness): 具有良好的耐热性和抗短路能力。
    #

    应用案例和使用建议


    这些IGBT广泛应用于空调系统、逆变器和电机驱动等领域。具体应用案例包括:
    - 空调系统: 用于制冷系统的逆变器控制。
    - 电机驱动: 用于工业自动化设备中的电动机控制。
    使用建议:
    - 确保在高温环境下保持适当的散热措施。
    - 使用合理的栅极电阻来优化开关特性。
    - 考虑在负载侧添加保护电路,以提高整体系统的可靠性。
    #

    兼容性和支持


    这些IGBT器件具备良好的兼容性,可以与多种控制系统和电源设备配合使用。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户在安装和使用过程中获得必要的帮助。同时,用户可通过访问 [http://www.ncepower.com](http://www.ncepower.com) 获取更多技术支持资料。
    #

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题及解决方案,以下是几个用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题: 开关过程中的能耗过高。
    - 解决方法: 适当调整栅极电阻值,以优化开关特性。
    - 问题: 温度范围内的性能波动较大。
    - 解决方法: 使用合适的散热措施,确保工作温度在规定的范围内。
    - 问题: 开关速度不足。
    - 解决方法: 确保合适的驱动电压和栅极电阻,以实现快速开关。
    #

    总结和推荐


    综上所述,NCE10TD60BF, NCE10TD60BD 和 NCE10TD60B 具有出色的性能和高度的可靠性。其低饱和电压、高速开关能力和紧密的参数分布使其成为电机驱动和逆变器应用的理想选择。此外,广泛的温度适应性和高鲁棒性使得这些IGBT非常适合各种恶劣环境下的应用。因此,我们强烈推荐这些产品在相关领域中使用。

NCE10TD60B参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-220

NCE10TD60B厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE10TD60B数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE10TD60B NCE10TD60B数据手册

NCE10TD60B封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 2.772
库存: 0
起订量: 50 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0