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NCEP045N10D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 200mW 92nC@ 10V 1个N沟道 100V 4mΩ@ 10V,60A 125mA TO-263
供应商型号: NCEP045N10D TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP045N10D

NCEP045N10D概述

    # NCEP045N10/NCEP045N10D 技术手册概述

    产品简介


    NCEP045N10 和 NCEP045N10D 是由无锡耐克赛尔半导体有限公司生产的 N-沟道超级深槽 II 功率 MOSFET 器件。它们采用先进的Super Trench II 技术,旨在提供高效的高频开关性能。这些器件特别适用于高频率开关和同步整流应用。主要应用于直流-直流转换器(DC/DC Converter)等领域。

    技术参数


    以下是 NCEP045N10 和 NCEP045N10D 的关键技术参数:
    - 工作电压:漏源电压 \( V{DS} \) 为 100V。
    - 持续电流:连续漏极电流 \( ID \) 为 125A。
    - 瞬态电流:脉冲漏极电流 \( I{DM} \) 为 500A。
    - 最大功率耗散:200W。
    - 热阻:结到外壳的热阻 \( R{\theta JC} \) 为 0.75℃/W。
    - 导通电阻:典型值为 \( R{DS(ON)} = 4.2m\Omega \)(TO-220封装),\( R{DS(ON)} = 4.0m\Omega \)(TO-263封装)。
    - 门限电压:\( V{GS(th)} \) 在 2V 到 4V 之间。
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \) 为 21ns。
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \) 为 40ns。
    - 总门电荷 \( Qg \) 为 92nC。

    产品特点和优势


    NCEP045N10 和 NCEP045N10D 具有以下显著特点和优势:
    - 高效高频开关:采用了先进的 Super Trench II 技术,使得器件在高频条件下依然能够保持高效能。
    - 低导通电阻:典型导通电阻 \( R{DS(ON)} \) 仅为 4.2mΩ(TO-220封装),保证了低损耗。
    - 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 175°C 的范围内正常工作。
    - 可靠测试:100% 经受 UIS 测试和 ΔVds 测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些器件广泛应用于各种高频开关电路,特别是直流-直流转换器(DC/DC Converter)。在实际应用中,可以用于电源适配器、电机驱动器、通信设备电源管理等多个领域。
    使用建议
    1. 散热管理:由于高功率耗散,建议采用良好的散热措施,如安装散热片或风扇,以避免过热导致的性能下降。
    2. 驱动电路设计:合理的门极驱动电路设计能够有效减少开关损耗,建议使用适当的门极电阻 \( RG \),并确保门极电压 \( V{GS} \) 足够高。
    3. 系统级设计:在系统设计中考虑器件的工作温度范围,尤其是在极端环境下需要额外注意。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NCEP045N10 和 NCEP045N10D 支持多种封装形式(TO-220 和 TO-263),可以方便地与其他标准电子元件配合使用。
    - 厂商支持:无锡耐克赛尔半导体有限公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品咨询、设计支持和技术培训。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热保护:如何防止器件过热?
    2. 失效保护:如何避免长时间工作超过额定值?
    3. 电磁干扰:如何减少电磁干扰?
    解决方案
    1. 过热保护:合理设计散热结构,采用外部散热装置。
    2. 失效保护:严格遵守额定值,避免瞬间超过额定条件。
    3. 电磁干扰:使用屏蔽材料,适当增加旁路电容。

    总结和推荐



    总结


    NCEP045N10 和 NCEP045N10D 是一款高效且可靠的功率 MOSFET 器件,具备优秀的高频开关特性和低导通电阻。它们在多种应用场景中表现优异,特别是在高频开关和同步整流应用中。
    推荐
    我们强烈推荐使用 NCEP045N10 和 NCEP045N10D 在高频开关应用中。虽然价格相对较高,但其高性能和可靠性将显著提升系统的整体性能。

NCEP045N10D参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 92nC@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 125mA
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V,60A
最大功率耗散 200mW
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-263
应用等级 工业级

NCEP045N10D厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP045N10D数据手册

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NCEP045N10D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 3.168
2400+ ¥ 2.9832
3200+ ¥ 2.904
4000+ ¥ 2.772
库存: 975
起订量: 800 增量: 800
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最小起订量为:800
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