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NCEP8588

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125mW 20V 3.3V 1个N沟道 85V 7.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 88mA TO-220
供应商型号: NCEP8588 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP8588

NCEP8588概述

    # NCEP8588 N-Channel Super Trench Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    NCEP8588 是一款来自无锡市北川电力有限公司(NCE Power)的N沟道超级沟槽功率MOSFET。该产品利用超级沟槽技术优化了高频开关性能,具有非常低的导通电阻(RDS(ON)),适用于高频率开关和同步整流等应用场景。
    主要功能
    - 极低的导通电阻(RDS(ON) < 6.4 mΩ @ VGS=10V)
    - 非常低的栅极电荷
    - 高温操作(可达175℃)
    应用领域
    - 直流/直流转换器
    - 高频开关和同步整流

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 85 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID): 88 A (TC=25℃),65 A (TC=100℃)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 320 A
    - 最大耗散功率 (PD): 125 W
    - 热阻(结到壳) (RθJC): 1.2 ℃/W
    电气特性
    - 开启特性
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 2.5 V ~ 4.5 V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 5.8 mΩ ~ 6.4 mΩ @ VGS=10V
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 3000 pF
    - 输出电容 (Coss): 442 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 27 pF
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(on)): 13.5 ns
    - 开启上升时间 (tr): 11 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 32 ns
    - 关断下降时间 (tf): 11 ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 42.2 nC
    - 二极管特性
    - 正向电压降 (VSD): 1.2 V
    - 反向恢复时间 (trr): 52 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 90 nC

    产品特点和优势


    独特功能
    - 非常低的导通电阻(RDS(ON) < 6.4 mΩ @ VGS=10V)
    - 高效的栅极电荷 x RDS(ON) 产品
    - 能够承受高达175℃的工作温度
    - 无铅镀层
    - 100% UIS测试和ΔVds测试
    优势
    - 高效的高频开关性能
    - 优秀的热稳定性
    - 长寿命和高可靠性

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 用于直流/直流转换器
    - 高频开关电源和同步整流应用
    使用建议
    - 在高频开关电路中使用时,需注意控制栅极驱动以避免过高的栅极电荷引起的开关损耗。
    - 为了确保可靠运行,在高温环境下应适当降低工作电流以避免过热。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 适用于标准的TO-220-3L封装,易于安装和焊接。
    - 适用于多种电源设计,如开关电源、电池充电器等。
    支持和服务
    - 无锡市北川电力有限公司提供详细的技术支持和售后服务,用户可以随时联系技术支持部门获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    1. 问题:工作温度过高导致设备过热
    - 解决办法: 使用散热片或者风扇辅助散热,减少负载电流,降低工作频率。
    2. 问题:栅极电压不稳导致工作异常
    - 解决办法: 确保栅极驱动电路稳定,使用合适的栅极电阻(如4.7Ω)来限制栅极电荷。
    3. 问题:开关速度慢导致效率低下
    - 解决办法: 优化电路布局,缩短引线长度,降低寄生电感和电容的影响,提高开关速度。

    总结和推荐


    综合评估
    NCEP8588是一款高性能的N沟道超级沟槽功率MOSFET,具有出色的导通电阻、高效的高频开关性能和较高的工作温度范围。适合用于需要高效率和高可靠性的直流/直流转换器和其他高频开关应用。
    推荐使用
    鉴于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐将NCEP8588用于高频开关和同步整流的应用场合。同时,也建议在设计过程中充分考虑其温度和负载条件,以确保设备的最佳性能和可靠性。

NCEP8588参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
Id-连续漏极电流 88mA
栅极电荷 -
最大功率耗散 125mW
Vds-漏源极击穿电压 85V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
通用封装 TO-220

NCEP8588厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP8588数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP8588 NCEP8588数据手册

NCEP8588封装设计

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