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NCEP058N85GU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 105mW 1个N沟道 85V 90mA DFN-5
供应商型号: NCEP058N85GU DFN-8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP058N85GU

NCEP058N85GU概述

    # NCEP058N85GU N-Channel Super Trench II Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    NCEP058N85GU 是一款由无锡芯能半导体有限公司生产的N沟道Super Trench II 功率MOSFET。这种MOSFET采用先进的Super Trench II技术,特别优化用于高效高频率开关性能。其主要功能在于低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg),从而实现了极低的导通和开关损耗。
    应用领域
    该产品适用于高频开关和同步整流,广泛应用于以下领域:
    - DC/DC转换器

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | 85 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 90 | A |
    | 漏极连续电流(Tc=100°C) | ID(100°C) | 66 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 360 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 105 | W |
    | 结温及存储温度范围 | TJ,TSTG | -55 至 150 | °C |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 85 | - | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | VDS=85V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 栅体漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 门限电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=45A | - | 4.8 | 5.8 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | - | 3100 | - | PF |
    | 输出电容 | Coss | - | 483 | - | PF |
    | 反向传输电容 | Crss | VDS=40V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 28 | PF |
    | 开关时间 | td(on) | - | 13.5 | - | ns |
    | 开关上升时间 | tr | - | 11 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 32 | - | ns |
    | 关断下降时间 | tf | VDD=40V, ID=45A, VGS=10V, RG=1.6Ω | - | 11 | ns |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 51 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 17.7 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | VDS=40V, ID=45A, VGS=10V | - | 13.3 | nC |
    | 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=45A | - | 1.2 | V |
    | 二极管正向电流 | IS | - | - | 90 | A |
    | 反向恢复时间 | trr | - | 58 | - | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | TJ = 25°C, IF = 45A, di/dt = 100A/μs | - | 74 | nC |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 结到外壳热阻 | RθJC | 1.2 | °C/W |

    产品特点和优势


    特点
    - 高效的高频开关性能:由于采用了Super Trench II技术,NCEP058N85GU在高频开关时表现出色,同时具备极低的导通和开关损耗。
    - 低导通电阻:典型值为4.8 mΩ,有助于减少电路中的能量损失。
    - 非常低的门限电压:使MOSFET在较低的驱动电压下也能正常工作。
    - 高工作温度:可承受高达150°C的工作温度,适合恶劣环境下的应用。
    优势
    - 优秀的开关性能:低导通电阻和低栅极电荷的结合使得NCEP058N85GU在高频率开关应用中表现出色。
    - 可靠性高:通过100%的UIS测试和ΔVds测试,确保产品的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCEP058N85GU 广泛应用于DC/DC转换器,特别是高频开关和同步整流场合。例如,在太阳能逆变器中,它能够提供高效率的电源转换。
    使用建议
    1. 散热设计:由于最大耗散功率为105W,需要良好的散热措施来确保器件的安全运行。
    2. 栅极驱动:合理的栅极驱动设计可以进一步降低开关损耗。推荐使用低阻抗驱动以缩短开关时间。
    3. 电路布局:注意PCB布局,避免寄生电感和电容影响器件性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    NCEP058N85GU 支持标准DIP5X6-8L封装,适用于大多数现代电源模块和电路板。同时,该器件无铅镀层,符合环保要求。
    厂商支持
    无锡芯能半导体有限公司提供了详尽的技术文档和专业的技术支持服务,帮助客户快速上手并解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何处理过高的温度?
    - 解决方案:增加散热片或风扇,改善电路板的散热设计。
    2. 栅极驱动问题导致开关异常
    - 解决方案:检查驱动信号的质量,调整栅极电阻值以优化驱动效果。
    3. 输出电流不稳定
    - 解决方案:检查电路布局和连接线,确保良好的信号完整性和接地回路。

    总结和推荐


    综合评估
    NCEP058N85GU 是一款高性能的N沟道Super Trench II 功率MOSFET,具有出色的高频开关特性和低损耗。其广泛的适用性和强大的技术参数使其成为许多应用的理想选择。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在高频开关和同步整流应用中使用NCEP058N85GU。在实际应用中,用户需要注意散热设计和正确的电路布局以充分发挥其潜力。

NCEP058N85GU参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 85V
最大功率耗散 105mW
Id-连续漏极电流 90mA
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 DFN-5

NCEP058N85GU厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP058N85GU数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP058N85GU NCEP058N85GU数据手册

NCEP058N85GU封装设计

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