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NCE65TF099F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 35mW 40V 45nC@ 10V 1个N沟道 650V 89mΩ@ 10V,19A 38mA 3.2nF@ 50V TO-220F
供应商型号: NCE65TF099F
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE65TF099F

NCE65TF099F概述

    # NCE65TF099D/NCE65TF099/NCE65TF099F:一款高性能N-Channel超级结功率MOSFET

    产品简介


    NCE65TF099D、NCE65TF099和NCE65TF099F是无锡赛晶安森美半导体有限公司推出的N-Channel超级结功率MOSFET III系列的产品。这些器件采用先进的沟槽栅极超级结技术,旨在提供卓越的RDS(ON)(导通电阻),同时具有低门极电荷,适用于AC-DC电源转换器、PFC(功率因数校正)、不间断电源系统(UPS)及工业电源应用等广泛的电力电子领域。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的技术规格:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压(VGS=0V) | BVDSS | 650 | V |
    | 漏源导通电阻(VGS=10V, ID=19A) | RDS(ON) | 89 | mΩ |
    | 连续漏极电流(Tc=25°C) | ID (DC) | 38 | A |
    | 连续漏极电流(Tc=100°C) | ID (DC) | 24 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM (pulse) | 152 | A |
    | 驱动电压范围 | VGS | ±30 | V |
    | 热阻(结到壳) | RthJC | 0.39-3.47 | °C/W |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | 62-80 | °C/W |
    | 体二极管反向恢复时间(Tj=25°C, IF=19A, di/dt=100A/μs) | trr | 180 | ns |
    | 体二极管反向恢复电荷 | Qrr | 1.6 | μC |

    产品特点和优势


    1. 优化的本征体二极管反向恢复性能:有助于提高电路的整体效率。
    2. 低导通电阻和低传导损耗:保证较低的功耗,提升系统能效。
    3. 小封装:适合紧凑型设计。
    4. 超低门极电荷导致更低的驱动需求:简化驱动电路的设计,降低系统复杂度。
    5. 100%雪崩测试:确保产品的可靠性。
    6. 符合RoHS标准:环保设计。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    NCE65TF099D、NCE65TF099和NCE65TF099F主要用于以下应用:
    - 功率因数校正(PFC)
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - LLC半桥拓扑结构
    使用建议
    - 在设计开关电源时,应注意考虑其热管理和散热措施,以避免因过热而引起的性能下降或损坏。
    - 利用其超低的门极电荷特性,可以有效减少门极驱动电路的复杂度,从而节省成本并提高系统的可靠性。
    - 在需要高可靠性的应用场合,例如医疗设备和数据中心电源系统,建议进行额外的可靠性测试。

    兼容性和支持


    NCE65TF099D、NCE65TF099和NCE65TF099F有多种封装形式(TO-263、TO-220、TO-220F),便于与不同的应用板级组装兼容。公司提供详细的技术支持和维护服务,以确保客户能够高效地使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致温度过高 | 使用合适的散热器,增加风扇通风 |
    | 寿命较短 | 严格按照电气特性操作,避免超过额定值使用 |
    | 电磁干扰问题 | 在电路设计中加入屏蔽层或滤波器 |
    | 性能不稳定 | 选择合适的工作条件,如工作电压和温度 |

    总结和推荐


    总体而言,NCE65TF099D、NCE65TF099和NCE65TF099F具备出色的性能指标和广泛应用潜力。它们适用于各类电力电子应用,尤其是在需要高性能和高效率的场合。尽管价格可能稍高于一些通用型号,但其卓越的品质和可靠性能使其成为设计师值得投资的选择。强烈推荐在关键电力电子应用中使用该系列产品。

NCE65TF099F参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.2nF@ 50V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 45nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 40V
Id-连续漏极电流 38mA
最大功率耗散 35mW
Rds(On)-漏源导通电阻 89mΩ@ 10V,19A
通用封装 TO-220F
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE65TF099F厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE65TF099F数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE65TF099F NCE65TF099F数据手册

NCE65TF099F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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