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NCE20P70G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 130mW 10V 600mV 100nC@ 4.5V 1个P沟道 20V ,4.5(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,5.5(mΩ) @VGS=2.5V,25℃ 70A DFN-5 贴片安装
供应商型号: 14M-NCE20P70G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE20P70G

NCE20P70G概述


    产品简介


    NCE20P70G是一款由无锡纳芯微电子(NCE)公司生产的P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品通过先进的深槽技术设计,以实现低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,适用于广泛的电子应用领域。NCE20P70G的主要功能是在电力转换和开关应用中提供高效的控制能力。其主要应用包括负载开关和电池保护。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):-20V
    - 最大连续漏极电流 (ID):-70A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-280A
    - 最大功耗 (PD):130W
    - 热阻 (Junction-to-Case, RθJC):0.96 ℃/W
    - 关断特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):-20V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):1 μA
    - 导通特性
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):-0.4V 至 -1.0V
    - 导通电阻 (RDS(ON))
    - VGS=-4.5V,ID=-20A:≤ 2.3 mΩ
    - VGS=-2.5V,ID=-20A:≤ 2.8 mΩ
    - VGS=-1.8V,ID=-20A:≤ 8 mΩ
    - 动态特性
    - 输入电容 (Clss):4950 pF
    - 输出电容 (Coss):380 pF
    - 反向转移电容 (Crss):290 pF
    - 开关特性
    - 开启延时时间 (td(on)):20 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)):100 ns
    - 总栅极电荷 (Qg):100 nC

    产品特点和优势


    NCE20P70G具有多个独特的功能和优势。首先,其采用先进的深槽技术设计,确保在高密度单元设计下具有超低导通电阻,从而提高整体效率。其次,其出色的封装设计保证了良好的散热性能,使设备能够在高温环境下稳定运行。此外,其良好的稳定性及均匀性以及较高的雪崩耐量使其成为众多电力转换应用的理想选择。这些特性使得NCE20P70G在市场上具备较强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    NCE20P70G广泛应用于负载开关和电池保护等领域。在负载开关应用中,它可以作为高效能的电源管理器件,提供可靠的开关控制。在电池保护电路中,NCE20P70G可以通过快速响应保护电池免受过充、过放或短路等问题的影响。对于系统设计者而言,在使用NCE20P70G时,应关注其输入和输出电容参数,确保系统稳定。同时,要考虑到温度对导通电阻的影响,确保其在设计的工作温度范围内正常运行。

    兼容性和支持


    NCE20P70G可以与其他标准的DFN5x6-8L封装的MOSFET产品兼容。制造商NCE提供了全面的技术支持和维护服务,帮助用户解决任何可能遇到的技术问题。用户还可以访问官方网站获取最新的产品信息和技术文档,确保始终处于最新状态。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高频应用中,NCE20P70G的动态参数如寄生电容如何影响系统性能?
    - 解决方案:为降低寄生电容对系统的影响,可以优化PCB布局,减小线路长度,或者选择适当的旁路电容来抑制噪声。
    - 问题:长时间工作导致温度升高,是否会影响NCE20P70G的性能?
    - 解决方案:可以通过增加散热片或采用水冷等方式进行有效散热。同时,设计时需考虑温度补偿措施,确保设备在不同温度下的性能稳定。

    总结和推荐


    总体而言,NCE20P70G是一款高性能、高可靠性的P沟道增强型功率MOSFET,其低导通电阻、优良的动态特性和卓越的散热性能使其在多种电力转换应用中表现优异。无论是作为负载开关还是电池保护装置,NCE20P70G都能满足严苛的应用要求。因此,我们强烈推荐在需要高效率、高可靠性的电力转换系统中使用此产品。

NCE20P70G参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 10V
Id-连续漏极电流 70A
Rds(On)-漏源导通电阻 ,4.5(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,5.5(mΩ) @VGS=2.5V,25℃
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 130mW
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV
栅极电荷 100nC@ 4.5V
通用封装 DFN-5
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

NCE20P70G厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE20P70G数据手册

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NCE20P70G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.2688
10+ ¥ 2.8602
30+ ¥ 2.3495
300+ ¥ 2.186
5000+ ¥ 2.1043
150000+ ¥ 2.043
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