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NCEP01T25T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 380mW 20V 3.6V 1个N沟道 100V 2.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 250mA TO-247
供应商型号: NCEP01T25T TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP01T25T

NCEP01T25T概述

    NCEP01T25T N-Channel Super Trench Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCEP01T25T 是一款由无锡市纳芯微电子有限公司(Wuxi NCE Power Co., Ltd)生产的N沟道超级沟槽功率MOSFET。它采用了Super Trench技术,以提供高效的高频开关性能。其主要功能包括极低的导通电阻和栅极电荷积,使得在高频率切换和同步整流的应用中表现出色。这种产品广泛应用于直流/交流转换器和其它需要高效能电源管理的应用领域。

    2. 技术参数


    NCEP01T25T 的主要技术规格如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 250 | - | A |
    | 极限脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 1000 | A |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 400 | W |
    | 结温及存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 | - | 175 | °C |
    | 热阻(结至外壳) | RθJC | - | 0.38 | - | °C/W |
    导通特性:
    - 漏源击穿电压:BVDSS ≥ 100 V
    - 零栅压漏极电流:IDSS ≤ 1 μA
    - 门体泄漏电流:IGSS ≤ ±100 nA
    - 栅阈电压:VGS(th) = 3 ~ 5 V
    - 导通电阻:RDS(ON) ≤ 2.5 mΩ @ VGS=10V
    动态特性:
    - 输入电容:CISS = 15700 pF
    - 输出电容:COSS = 1600 pF
    - 反向转移电容:CRSS = 101 pF
    - 开关时间:
    - 开启延时时间:td(on) ≤ 30 ns
    - 开启上升时间:tr ≤ 85 ns
    - 关闭延迟时间:td(off) ≤ 95 ns
    - 关闭下降时间:tf ≤ 38 ns
    - 总栅电荷:Qg ≤ 208 nC
    二极管特性:
    - 二极管正向电压:VSD ≤ 1.2 V
    - 二极管反向恢复时间:trr ≤ 115 ns
    - 二极管反向恢复电荷:Qrr ≤ 320 nC

    3. 产品特点和优势


    NCEP01T25T 的主要优势在于其高效能和低损耗:
    - 高效高频切换性能:结合极低的导通电阻(RDS(ON) ≤ 2.5 mΩ)和栅极电荷,可以有效降低开关损耗。
    - 高可靠性:100% UIS和ΔVds测试确保了产品的可靠性。
    - 宽工作温度范围:-55°C 到 175°C 的工作温度使其适用于多种严苛环境。
    - 绿色环保:无铅镀层,符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NCEP01T25T 在多个应用领域中表现优异,如直流/交流转换器和同步整流系统。对于需要高频率切换的场合,例如电机驱动器、电源适配器、光伏逆变器等,该产品都能提供良好的性能表现。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保充分考虑散热问题,避免超过最大结温限制。
    - 使用合适的栅极驱动器以优化开关时间,减少开关损耗。
    - 注意电路板的设计,确保良好的热管理和信号完整性。

    5. 兼容性和支持


    NCEP01T25T 的封装为TO-247,可与其他标准TO-247封装的产品互换使用。公司提供了详细的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定产品的最大功耗?
    - 解决方法:参考手册中的绝对最大额定值表,查看PD的最大值,并结合工作条件计算实际功耗。
    - 问题:如何测量栅极电荷?
    - 解决方法:使用示波器或其他专业设备,在指定条件下进行测量。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NCEP01T25T 是一款高性能的N沟道超级沟槽功率MOSFET,特别适合于高频率切换和同步整流应用。其低损耗、高可靠性和宽工作温度范围使其成为许多应用领域的理想选择。我们强烈推荐该产品用于各种需要高效能电源管理的应用场景。
    如有进一步问题,建议直接联系厂家获取技术支持。

NCEP01T25T参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 380mW
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 250mA
通用封装 TO-247

NCEP01T25T厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP01T25T数据手册

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NCEP01T25T封装设计

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