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NCEP60T12AK

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 180mW 20V 1.7V 67nC@ 10V 1个N沟道 60V 4mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,5(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 120mA 4nF@ 30V TO-252
供应商型号: 31M-NCEP60T12AK
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP60T12AK

NCEP60T12AK概述

    # NCEP60T12AK N-Channel Super Trench Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCEP60T12AK 是一款由无锡纳芯微电子有限公司生产的N沟道超结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了独特的超级沟槽技术,旨在提供高效的高频开关性能。其极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)使得该器件在高频率下具备出色的开关效率。该产品适用于DC/DC转换器、高频开关及同步整流等多种应用场合。

    技术参数


    电气特性
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 连续漏极电流 (ID): 120A (硅片限制)
    - 重复峰值脉冲电流 (IDM): 480A
    - 饱和电压 (BVDSS): 60V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1µA
    - 门体漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 开启门限电压 (VGS(th)): 1.0V 至 2.4V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - 3.5mΩ(典型值),@ VGS=10V
    - 4.0mΩ(典型值),@ VGS=4.5V
    - 门电荷 (Qg): 67nC
    动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 4000pF
    - 输出电容 (Coss): 680pF
    - 反向转移电容 (Crss): 23pF
    - 关断延迟时间 (td(off)): 56ns
    - 关断下降时间 (tf): 12ns
    - 反向恢复时间 (trr): 48ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 60nC
    热特性
    - 热阻 (RθJC): 0.83°C/W
    绝对最大额定值
    - 最大功率耗散 (PD): 180W
    - 最大门-源电压 (VGS): ±20V
    - 最大门-漏电流 (IDM): 480A
    - 工作温度范围: -55°C 到 175°C

    产品特点和优势


    - 高效能:采用超级沟槽技术,显著降低导通电阻和门电荷,从而提高开关效率。
    - 高温稳定性:最高可承受175°C的工作温度。
    - 铅自由材料:无铅表面处理,符合环保要求。
    - 100%检测:包括UIS测试和ΔVds测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器:用于高效率的电源转换系统中。
    - 高频开关和同步整流:适用于需要快速开关的应用。
    使用建议
    - 散热设计:由于高功率耗散,确保良好的散热设计以防止过热。
    - 驱动电路设计:根据输出电容和门电荷参数选择合适的门极电阻和驱动电路,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    NCEP60T12AK与标准TO-252封装兼容,可以方便地应用于现有的电路板设计中。无锡纳芯微电子有限公司为该产品提供了全面的技术支持和售后服务,包括样品申请、技术支持和故障排除服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致温度过高 | 确保适当的散热措施,如增加散热器或改善空气流动。 |
    | 开关速度不足 | 检查驱动电路的设计,确保门极电阻的选择适合快速开关需求。 |
    | 高频噪声干扰 | 使用屏蔽线和滤波电容减少电磁干扰。 |

    总结和推荐


    NCEP60T12AK凭借其高效能、高温稳定性和出色的可靠性,在高频开关和同步整流应用中表现出色。虽然其最大工作电流达到120A,但在设计时仍需注意散热和驱动电路的设计,以确保长期稳定运行。鉴于其出色的技术参数和广泛应用前景,强烈推荐在高频率开关应用中选用此产品。

NCEP60T12AK参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
最大功率耗散 180mW
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 67nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4nF@ 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,5(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,
Id-连续漏极电流 120mA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
包装方式 卷带包装

NCEP60T12AK厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP60T12AK数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP60T12AK NCEP60T12AK数据手册

NCEP60T12AK封装设计

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100+ ¥ 2.1
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