处理中...

首页  >  产品百科  >  NCEP4085EG

NCEP4085EG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 65mW 1个N沟道 40V 85mA DFN-5
供应商型号: NCEP4085EG DFN5*6
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP4085EG

NCEP4085EG概述

    NCEP4085EG N-Channel Super Trench Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCEP4085EG 是一款由无锡纳芯微电子有限公司生产的N沟道超级沟槽功率MOSFET。它采用了独特的Super Trench技术,能够提供高效的高频开关性能。该产品特别适用于高频率开关和同步整流场合,且具有ESD保护功能。在设计上,它拥有较低的导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷(Qg),从而实现了极低的导通和开关损耗。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压:VDS = 40V
    - 连续漏极电流:ID = 85A
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 260A
    - 最大耗散功率:PD = 65W
    - 最大结温:TJ,TSTG = -55 至 150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:BVDSS = 40V
    - 零栅压漏极电流:IDSS = -1μA
    - 门体泄漏电流:IGSS = ±10μA
    - 开启特性
    - 门限电压:VGS(th) = 1.0V 至 2.2V
    - 导通电阻:RDS(ON) = 3.7mΩ (VGS=10V),5.0mΩ (VGS=4.5V)
    - 动态特性
    - 输入电容:Clss = 2100PF 至 2600PF
    - 输出电容:Coss = 639PF 至 800PF
    - 反向转移电容:Crss = 23.6PF 至 29PF
    - 开关特性
    - 开启延时时间:td(on) = 7.5ns
    - 开启上升时间:tr = 4ns
    - 关断延时时间:td(off) = 26ns
    - 关断下降时间:tf = 3.3ns
    - 总栅极电荷:Qg = 34.3nC 至 47nC
    - 热特性
    - 结到壳的热阻:RθJC = 1.92°C/W
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 288mJ
    - 封装标记及订购信息
    - 封装:DFN5X6-8L
    - 订购信息:NCEP4085EG DFN5X6-8L

    产品特点和优势


    NCEP4085EG 的显著特点是其超低的导通电阻(RDS(ON))和非常低的栅极电荷(Qg)。这使得它在高频率开关和同步整流中表现出色,同时能够在150°C的高温下稳定运行。它的超低导通电阻和栅极电荷的产品组合(FOM)使其在同类产品中具有很高的性能指标,非常适合在恶劣环境下工作。

    应用案例和使用建议


    NCEP4085EG 广泛应用于 DC/DC 转换器,以及其他需要高频开关和同步整流的应用场合。例如,在通信电源、服务器电源和汽车电源系统中,可以显著提高系统的能效和可靠性。在实际应用中,建议将产品安装在具有良好散热条件的电路板上,并考虑外部电路的设计以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    NCEP4085EG 的 DFN5X6-8L 封装具有良好的机械强度和可焊性,适用于表面贴装技术(SMT)。无锡纳芯微电子有限公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括产品认证、测试报告和应用指南,以确保客户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免因过温导致的损坏?
    - 答: 通过使用散热片或风扇加强散热效果,并在电路设计中加入过温保护机制,可以有效防止过温问题。
    2. 问:如何降低开关损耗?
    - 答: 通过优化驱动电路,降低驱动电阻值,或者选择更低的栅极电荷(Qg)的产品,可以显著降低开关损耗。
    3. 问:如何进行安全设计以避免事故?
    - 答: 在电路设计中添加冗余设计、安全保护电路以及错误预防电路,可以增强系统的安全性。

    总结和推荐


    综上所述,NCEP4085EG N-Channel Super Trench Power MOSFET 在高频开关和同步整流领域表现优异,具备出色的性能和可靠性。它适合用于要求高效能和高可靠性的应用场合。鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐将其用于需要高频开关和高效能转换的应用中。

NCEP4085EG参数

参数
最大功率耗散 65mW
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 85mA
配置 -
通用封装 DFN-5

NCEP4085EG厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP4085EG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP4085EG NCEP4085EG数据手册

NCEP4085EG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.62
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 8100
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336