处理中...

首页  >  产品百科  >  NCEP85T12D

NCEP85T12D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 160mW 20V 3.3V 55nC@ 10V 1个N沟道 85V 5.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 120mA TO-263
供应商型号: NCEP85T12D TO-263-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP85T12D

NCEP85T12D概述

    # NCEP85T12D N-Channel Super Trench Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCEP85T12D 是一款由无锡艾比尔半导体有限公司生产的无铅产品,属于N-Channel Super Trench Power MOSFET(超级沟槽N沟道功率MOSFET)。它特别适用于高频开关和同步整流应用,具有极低的导通电阻(RDS(ON))和非常高的电流承载能力。此款MOSFET广泛应用于直流转换器和其他需要高效高频开关的领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 85 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 120 | A |
    | 连续漏极电流(当 TC=100℃) | ID (100℃) | 88 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 160 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 784 | mJ |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结到外壳热阻 | RθJC | 0.94 | ℃/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 85 | - | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=85V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 门体漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 门限电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | 3.3 | 4.5 | V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=60A | - | - | 5.5 | mΩ |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 开启延时时间 | td(on) | - | 13.5 | - | nS |
    | 关断延时时间 | td(off) | - | 38 | - | nS |
    | 总门电荷 | Qg | - | 55 | - | nC |

    产品特点和优势


    NCEP85T12D 的主要特点包括:
    - 极低的导通电阻:RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V,这意味着在高电流负载下具有非常低的损耗。
    - 高频开关性能:支持高达175°C的工作温度,非常适合高频开关应用。
    - 优异的门电荷-导通电阻积:优化的门电荷和导通电阻设计使产品在高频率下的性能更加出色。
    - 无铅材料:符合环保标准,适用于各种现代电子设备。

    应用案例和使用建议


    NCEP85T12D 主要应用于直流转换器和同步整流系统。对于高频电路设计,建议遵循以下建议:
    - 使用合适的门电阻来控制开关速度,以减少开关损耗。
    - 在选择电路布局时,注意减小寄生电感和电容,以提高整体效率。
    - 定期检查和测试电路,确保器件在极端条件下的可靠性。

    兼容性和支持


    NCEP85T12D 支持多种封装形式,具体型号为TO-263-2L。该产品在高温下也能保持稳定性能,因此适用于广泛的工业应用。无锡艾比尔半导体有限公司提供全面的技术支持和售后服务,以确保客户能够充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    问题1:产品过热怎么办?
    解决方案:确保良好的散热设计,并根据器件的热阻特性进行合理的散热处理。如果需要,可以考虑加装散热片或采用主动冷却方式。
    问题2:产品出现不稳定的开关现象怎么办?
    解决方案:检查电路设计是否合理,特别是门电阻的选择和信号完整性。必要时可以增加适当的滤波电容以平滑信号。
    问题3:产品在高压环境下表现不稳定怎么办?
    解决方案:确保所有连接点的接触良好,避免虚焊和接触不良导致的电压降。此外,可以在电路设计中加入瞬态保护措施,如TVS二极管。

    总结和推荐


    NCEP85T12D 作为一款高性能的N沟道超级沟槽功率MOSFET,具有出色的高频开关能力和较低的导通电阻。它的广泛适用性和可靠性能使其成为直流转换器和其他高要求应用的理想选择。我们强烈推荐该产品给需要高效、高频电源管理解决方案的设计工程师们。

NCEP85T12D参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 160mW
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
Vds-漏源极击穿电压 85V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
栅极电荷 55nC@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 120mA
通用封装 TO-263

NCEP85T12D厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP85T12D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP85T12D NCEP85T12D数据手册

NCEP85T12D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 3.388
库存: 0
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0