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NCE65TF360F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 32.6mW 19nC@ 10V 1个N沟道 650V 290mΩ@ 10V,7A 11.5mA TO-220F
供应商型号: NCE65TF360F TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE65TF360F

NCE65TF360F概述

    # NCE65TF360D/NCE65TF360/NCE65TF360F N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ 技术手册

    产品简介


    NCE65TF360D、NCE65TF360 和 NCE65TF360F 是无锡纳芯微电子有限公司(NCE Power)生产的一系列N沟道超级结功率MOSFET器件。这些器件采用先进的沟槽栅超级结技术,以提供出色的低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷。它们广泛应用于交流-直流开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)和半桥LLC等领域。

    技术参数


    以下是这些器件的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | NCE65TF360D | NCE65TF360 | NCE65TF360F |

    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 650 V | 650 V | 650 V |
    | 最大栅源电压 | VGS | ±30 V | ±30 V | ±30 V |
    | 连续漏电流(25°C) | ID (DC) | 11.5 A | 11.5 A | 11.5 A |
    | 连续漏电流(100°C) | ID (DC) | 7 A | 7 A | 7 A |
    | 脉冲漏电流(注1) | IDM (pluse) | 46 A | 46 A | 46 A |
    | 最大功耗(25°C) | PD | 101 W | 101 W | 101 W |
    | 热阻(结至外壳) | RthJC | 1.24 °C/W | 3.83 °C/W | 1.24 °C/W |
    | 热阻(结至环境) | RthJA | 62 °C/W | 80 °C/W | 62 °C/W |
    | 导通电阻(10V, 7A) | RDS(ON) | 290 mΩ | 360 mΩ | 290 mΩ |

    产品特点和优势


    这些超级结MOSFET具有以下特点和优势:
    1. 优化的体二极管反向恢复性能:显著减少了逆变器和其他应用中的损耗。
    2. 低导通电阻和低传导损失:确保高效的能量转换。
    3. 小型封装:适合空间受限的应用。
    4. 超低门极电荷:降低了驱动要求,提高了能效。
    5. 100%雪崩测试通过:保证了可靠性和耐用性。
    6. RoHS合规:符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET广泛应用于多种场合,例如:
    - 功率因数校正(PFC):用于提高电网效率。
    - 开关电源(SMPS):在各种电源转换器中实现高效能。
    - 不间断电源(UPS):确保供电稳定。
    - 半桥LLC:适用于高效率的电力变换系统。
    使用建议:
    1. 在使用时,要确保门极电压不超过±30V,以防止损坏。
    2. 注意散热管理,特别是当工作温度超过25°C时。
    3. 根据负载条件合理选择合适的封装型号。

    兼容性和支持


    这些器件与同类的电子元器件和设备兼容,可以方便地集成到现有的设计中。无锡纳芯微电子有限公司提供了详细的文档和技术支持,帮助客户进行产品选型和故障排除。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免器件过热?
    解决方案:使用散热片或者散热器,确保良好的热管理。对于高功耗应用,可以选择较大的封装以增加散热面积。
    问题2:如何减少栅极振荡?
    解决方案:增加栅极电阻(RG),选择适当的RG值以平衡速度和稳定性。
    问题3:如何优化体二极管的反向恢复性能?
    解决方案:选择具有优化体二极管特性的型号,并在电路设计中加入软恢复措施。

    总结和推荐


    总的来说,NCE65TF360D、NCE65TF360和NCE65TF360F是一系列高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具有优秀的性能和可靠性。它们非常适合用于高效能的电源转换和控制应用中。推荐在需要高性能和高可靠性的电源设计中使用这些器件。
    以上是根据提供的技术手册内容生成的技术文章。希望这能为您的项目选择合适的电子元器件提供有价值的参考。

NCE65TF360F参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 290mΩ@ 10V,7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 19nC@ 10V
最大功率耗散 32.6mW
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 11.5mA
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
应用等级 工业级

NCE65TF360F厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE65TF360F数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE65TF360F NCE65TF360F数据手册

NCE65TF360F封装设计

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