处理中...

首页  >  产品百科  >  NCEP035N12VD

NCEP035N12VD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300mW 1个N沟道 120V 190mA TO-263-6L
供应商型号: NCEP035N12VD TO-263-6L
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP035N12VD

NCEP035N12VD概述

    NCEP035N12VD N-Channel Super Trench II Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCEP035N12VD 是无锡 NCE 功率半导体有限公司推出的 N 沟道超级沟槽 II 型功率 MOSFET。这款 MOSFET 器件采用了超级沟槽 II 技术,通过优化使其具备高效的高频开关性能。主要功能包括高频率开关和同步整流,特别适用于直流转换器和其他需要高效能的应用场合。

    2. 技术参数


    - 电压规格:
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 120 V
    - 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\): 760 A
    - 最大功率耗散 \(PD\): 300 W
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 2300 mJ
    - 电流规格:
    - 持续漏极电流 \(I{D}\): 190 A
    - 连续漏极电流 \(I{D(100℃)}\): 135 A
    - 电阻规格:
    - 导通电阻 \(R{DS(ON)}\): 2.5 mΩ(典型值 @ V{GS}=10V)
    - 温度规格:
    - 工作结温和存储温度范围 \(T{J}, T{STG}\): -55 到 175℃
    - 电容规格:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 12700 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 870 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 48 pF
    - 动态特性:
    - 开关时间 \(t{d(on)}\): 34 ns
    - 上升时间 \(tr\): 27 ns
    - 关断延迟时间 \(t{d(off)}\): 78 ns
    - 下降时间 \(tf\): 30 ns
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 213 nC
    - 栅极-源极电荷 \(Q{gs}\): 58 nC
    - 栅极-漏极电荷 \(Q{gd}\): 58 nC
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\):101 ns
    - 反向恢复电荷 \(Q{rr}\):280 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效的高频开关性能:得益于Super Trench II技术,具有超低的导通电阻 \(R{DS(ON)}\) 和栅极电荷 \(Qg\) 的乘积,从而最大限度地减少导通和开关损耗。
    - 宽广的工作温度范围:高达175℃的工作温度,使该器件在恶劣环境中仍能保持稳定运行。
    - 出色的可靠性:全部通过UIS测试和\(\Delta V{DS}\)测试,确保高可靠性。
    - 环保材料:无铅镀层,符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于DC/DC转换器,尤其是在高频率开关和同步整流场合。
    - 使用建议:根据输出电容和输入电容特性选择合适的驱动电阻以优化开关性能;在高频应用中注意散热设计,避免热失效。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种高功率需求的应用,如电动车辆、电源管理、电机控制等。
    - 支持和服务:厂商提供详细的技术文档和支持服务,以确保用户能够充分发挥该器件的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开关过程中出现不稳定现象。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路,确保驱动电阻和驱动电压匹配。
    - 问题2:过热问题。
    - 解决方案:增加散热片,改进散热设计,确保良好的散热条件。
    - 问题3:输出电流不足。
    - 解决方案:检查外围电路连接,确认是否存在虚焊或接触不良的情况。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NCEP035N12VD是一款优秀的N沟道超级沟槽II型功率MOSFET。其高效的高频开关性能、卓越的可靠性以及宽广的工作温度范围使其在多种应用中表现出色。推荐在高功率需求且需要高效能的应用中使用。

NCEP035N12VD参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 120V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 190mA
栅极电荷 -
最大功率耗散 300mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263-6L

NCEP035N12VD厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP035N12VD数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP035N12VD NCEP035N12VD数据手册

NCEP035N12VD封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 9.273
库存: 0
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831