处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE20TD60BP

NCE20TD60BP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NCE20TD60BP TO-3P-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 25
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE20TD60BP

NCE20TD60BP概述

    NCE20TD60BT/NCE20TD60BP 技术手册概述

    1. 产品简介


    NCE20TD60BT 和 NCE20TD60BP 是无锡南车功率半导体有限公司生产的600V、20A Trench FS II 快速IGBT。它们采用了南车独有的沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,具有优异的导通和开关性能,并且易于并联操作。该产品广泛应用于空调、逆变器和电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    - 电气参数:
    - 集电极-发射极电压 (VCES): 600 V
    - 栅极-发射极电压 (VGES): ±30 V
    - 集电极电流 (IC): 40 A
    - 集电极连续电流 (IC @ TC = 100 °C): 20 A
    - 脉冲集电极电流 (ICplus): 60 A
    - 二极管连续正向电流 (IF @ TC = 100 °C): 20 A
    - 二极管最大正向电流 (IFM): 60 A
    - 功率耗散 (PD @ TC = 25°C): 135 W
    - 功率耗散 (PD @ TC = 100 °C): 54 W
    - 结温与存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 到 +150 °C
    - 焊接最高温度 (TL): 260 °C
    - 短路承受时间 (tsc): 3 μs
    - 热阻参数:
    - 结到外壳热阻 (RθJC) (IGBT): 0.92 °C/W
    - 结到外壳热阻 (RθJC) (二极管): 1.92 °C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA): 62 °C/W
    - 静态参数:
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CES): 600 V
    - 集电极-发射极漏电流 (ICES): 4 uA
    - 栅极到发射极前向泄漏电流 (IGES(F)): 100 nA
    - 栅极到发射极反向泄漏电流 (IGES(R)): 100 nA
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 1.7 ~ 1.9 V
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Cies): 2580 pF
    - 输出电容 (Coes): 48 pF
    - 反向转移电容 (Cres): 26 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 97 nC
    - 栅极到发射极电荷 (Qge): 17 nC
    - 栅极到集电极电荷 (Qgc): 37 nC

    3. 产品特点和优势


    - 低饱和电压 (VCE(sat)): 具有非常低的饱和电压,有助于减少损耗。
    - 高速开关: 支持高速开关,适用于高频率应用。
    - 正温度系数: 在饱和电压方面表现出正温度系数,这有利于并联操作。
    - 参数分布紧密: 参数分布非常紧密,确保一致性。
    - 高稳健性: 具有高稳健性,可在恶劣环境中稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:NCE20TD60BT 和 NCE20TD60BP 常用于空调、逆变器和电机驱动系统中。
    - 使用建议:对于需要高温环境下的应用,应注意散热设计以保持器件温度不超过150°C。同时,在并联操作时,要确保各器件之间的参数分布差异较小,以保证一致的性能表现。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与标准的 TO-247 和 TO-3P 封装兼容。
    - 支持:无锡南车功率半导体有限公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括安装指导和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:饱和电压过高。
    - 解决方案:检查连接是否正确,确认散热措施得当。
    - 问题:开关速度慢。
    - 解决方案:减小栅极电阻,优化驱动电路。

    7. 总结和推荐


    NCE20TD60BT 和 NCE20TD60BP 是一款高性能的600V、20A Trench FS II 快速IGBT。其低饱和电压、高速开关和紧密的参数分布使其在空调、逆变器和电机驱动等领域具有显著优势。此外,高稳健性和广泛的应用兼容性进一步增强了其市场竞争力。总体而言,这款产品值得在相关应用中推荐使用。

NCE20TD60BP参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-3P

NCE20TD60BP厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE20TD60BP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE20TD60BP NCE20TD60BP数据手册

NCE20TD60BP封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 5.885
库存: 0
起订量: 25 增量: 25
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831