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NCE60P45K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 110mW 35.1nC@ 10V 1个P沟道 60V 31mΩ@ 10V,20A 45A TO-252
供应商型号: 31M-NCE60P45K
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE60P45K

NCE60P45K概述

    NCE60P45K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE60P45K 是无锡南车功率半导体有限公司(Wuxi NCE Power Co., Ltd)推出的一款高性能 P 沟道增强型功率 MOSFET。这款 MOSFET 基于先进的沟槽工艺设计,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))的同时保持较低的栅极电荷(Qg)。它广泛应用于电源开关应用、硬开关电路和高频电路,尤其适合不间断电源系统(UPS)。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS): -60V
    - 持续漏极电流 (ID): -45A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 180A
    - 最大功率耗散 (PD): 110W
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 168mJ
    - 热阻 (RθJC): 1.36℃/W
    - 电气特性
    - 导通电压 (VGS(th)): -2.0V 至 -3.5V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 31mΩ 至 35mΩ (VGS=-10V)
    - 输入电容 (Ciss): 2049pF
    - 输出电容 (Coss): 112.7pF
    - 反向传输电容 (Crss): 88.7pF
    - 转换电导 (gFS): 20S
    - 关断延迟时间 (td(off)): 39ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 35.1nC
    - 源极-漏极二极管反向恢复时间 (trr): 40ns
    - 源极-漏极二极管反向恢复电荷 (Qrr): 70nC
    - 工作环境
    - 连续工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 175°C

    3. 产品特点和优势


    NCE60P45K 具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:低至 31mΩ 的导通电阻,使得其适用于高效率的应用场景。
    - 高性能设计:采用高密度单元设计,确保低 RDS(ON),并提供出色的热稳定性。
    - 快速开关特性:低栅极电荷(Qg)有助于提高系统的整体效率,减少开关损耗。
    - 可靠的雪崩能力:经过全面测试,保证了良好的雪崩电压和电流特性。
    - 优良的封装:TO-252 封装提供了良好的散热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    NCE60P45K 广泛应用于各类电源管理场景,例如:
    - 电源开关应用:由于其高效的转换电导率(gFS),它适合用于各种开关电源转换器。
    - 硬开关和高频电路:快速的开关特性使其适用于需要高速切换的应用。
    - 不间断电源 (UPS):可靠的雪崩能力和高热稳定性能确保其在紧急情况下仍能正常工作。
    使用建议:
    - 在选择栅极电阻(Rg)时,要考虑到合适的栅极电荷(Qg),以平衡开关速度和功耗。
    - 注意热管理:尽管具有良好的散热设计,但在高温环境下工作时仍需特别注意。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NCE60P45K 兼容标准 TO-252 封装,可方便地集成到现有设计中。
    - 支持和服务:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利进行产品集成和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过高的温度?
    - A:通过增加散热片或优化散热路径来降低温度。

    - Q:如何确保长期可靠运行?
    - A:严格遵循最大额定值和工作条件,避免超出产品规格的操作。

    - Q:栅极泄漏电流过高怎么办?
    - A:检查外部电路连接是否正确,确认无误后再重新测试。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NCE60P45K 是一款高效、可靠且具备多种优势的 P 沟道增强型功率 MOSFET。其低导通电阻和快速开关特性使其成为电源管理和高频率应用的理想选择。对于寻求高效率和高性能解决方案的工程师来说,NCE60P45K 绝对是一个值得考虑的选择。我们强烈推荐将其用于需要高性能功率管理的场合。

NCE60P45K参数

参数
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 110mW
栅极电荷 35.1nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 31mΩ@ 10V,20A
通道数量 -
通用封装 TO-252

NCE60P45K厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE60P45K数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE60P45K NCE60P45K数据手册

NCE60P45K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.4024
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