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KND8606B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: KND8606B TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KND8606B

KND8606B概述

    KIA 8606B N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    KIA 8606B 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET,由 KIA 半导体公司采用先进的平面条纹 DMOS 技术生产。这款 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关性能和高能脉冲耐受能力。它特别适用于低电压应用,如直流-直流转换器和便携式设备及电池供电产品的电源管理。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS): 60V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC=25°C 时 35A
    - TC=100°C 时 22A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 80A
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 450mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 35A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 12mJ
    - 峰值二极管恢复 dv/dt: 4.5V/ns
    - 最大功耗 (PD):
    - TC=25°C 时 60W
    - 每上升 1°C 功耗减少 0.8W
    - 热阻 (RθJC): 2.5°C/W
    - 典型开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 15ns
    - 上升时间 (tr): 105ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 60ns
    - 下降时间 (tf): 65ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 33nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS=10V 和 ID=20A 的条件下,典型值为 15mΩ。
    - 低栅极电荷 (Qg): 仅为 33nC,有助于减少驱动功率和提高开关速度。
    - 高鲁棒性: 支持高达 450mJ 的单脉冲雪崩能量和 12mJ 的重复雪崩能量。
    - 快速开关: 开启延迟时间仅为 15ns,下降时间仅 65ns。
    - 增强的 dv/dt 能力: 达到 4.5V/ns。
    - 百分之百经过雪崩测试。

    4. 应用案例和使用建议


    KIA 8606B 适用于多种应用场合,如 DC/DC 转换器、电池充电器和便携式设备中的电源管理。以下是一些推荐的应用场景和使用建议:
    - DC/DC 转换器: 可用于高效降压和升压电路,尤其是在需要低导通电阻和快速开关特性的应用中。
    - 电池充电器: 由于其低导通电阻和高能脉冲耐受能力,可以有效提升电池充电效率。
    - 便携式设备: 在便携式医疗设备、消费电子设备等电池供电设备中,KIA 8606B 可以显著延长电池寿命并提高整体性能。
    使用建议:
    - 在设计时要确保电路的散热设计能够满足器件的最大功耗要求。
    - 使用适当的栅极驱动电阻 (RG) 以保证快速而可靠的开关操作。
    - 避免长时间超过最大额定电压和电流的操作,以免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    KIA 8606B 支持标准的 TO-252 封装,可以方便地集成到各种现有系统中。KIA 半导体公司提供了详细的技术支持文档和售后服务,以帮助客户更好地理解和使用这款产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关损耗过高怎么办?
    - A: 检查电路设计中的栅极电阻 (RG),适当减小电阻值以降低开关损耗。
    - Q: 器件温度过高如何处理?
    - A: 确保良好的散热设计,或者在必要时增加外部散热片。
    - Q: 如何避免栅极振铃现象?
    - A: 使用合适的栅极驱动电路,添加适当的缓冲电路来抑制振铃。

    7. 总结和推荐


    总结:KIA 8606B N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,具有出色的低导通电阻和快速开关性能。它特别适合应用于低电压和高效率的电源管理系统中。通过详细的测试数据和性能指标,可以看出其在各种严苛的应用环境下都能表现出色。
    推荐:强烈推荐 KIA 8606B 用于需要高效率和高可靠性的应用中,特别是在 DC/DC 转换器和便携式设备的电源管理中。如果你正在寻找一款能有效提升系统性能和可靠性的 MOSFET,KIA 8606B 将是一个非常不错的选择。

KND8606B参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
通用封装 TO-252

KND8606B厂商介绍

KIA(起亚汽车公司)是一家韩国汽车制造商,成立于1944年,总部位于首尔。KIA主要生产和销售各种类型的汽车,包括轿车、SUV、MPV和新能源汽车等。

KIA的主营产品可以分为以下几个类别:

1. 轿车:如K3、K5、Stinger等,主要应用于个人和家庭出行。

2. SUV:如Sportage、Sorento等,适用于城市通勤和户外活动。

3. MPV:如Carnival、Sedona等,适合家庭出游和商务接待。

4. 新能源汽车:如Niro EV、Soul EV等,满足环保出行需求。

KIA的优势主要体现在以下几个方面:

1. 性价比高:KIA汽车在同级别车型中价格相对亲民,配置丰富。

2. 设计时尚:KIA汽车外观和内饰设计时尚动感,符合年轻消费者的审美。

3. 技术先进:KIA在新能源、智能驾驶等领域不断投入研发,技术领先。

4. 售后服务好:KIA在全球范围内建立了完善的售后服务网络,为消费者提供便利。

总之,KIA凭借高性价比、时尚设计、先进技术和优质售后服务,赢得了全球消费者的信赖和喜爱。

KND8606B数据手册

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KIA/深圳可易亚半导体 场效应管(MOSFET) KIA/深圳可易亚半导体 KND8606B KND8606B数据手册

KND8606B封装设计

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