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LP8615DT1AG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个P沟道 60V 7mA DFN-3030-8B
供应商型号: LP8615DT1AG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LP8615DT1AG

LP8615DT1AG概述

    LP8615DT1AG P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    LP8615DT1AG 是一款由乐山无线电有限公司(Leshan Radio Company, LTD.)生产的P沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种电子元器件广泛应用于负载开关、直流/直流转换以及电机驱动等领域。

    技术参数


    1. 最大额定值
    - 漏极-源极电压(VDSS):-60V
    - 门极-源极电压(VGS):±20V
    - 脉冲漏极电流(IAS):12.3A
    - 额定功率耗散(PD):25℃时为45W,70℃时为95W
    2. 热特性
    - 热阻(RθJA):25℃时为45°C/W,70℃时为95°C/W
    - 连续漏极电流(ID):取决于工作温度,典型值为150A
    - 最大结温(TJ):-55℃到150℃
    3. 电气特性
    - 门阈电压(VGS(th)):-1V 至 -1.5V
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(ON)):-10V下为82mΩ
    - 门体漏电电流(IGSS):小于-10μA
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):-1146µA
    - 动态特性中的门电阻(Rg):6.5Ω

    产品特点和优势


    LP8615DT1AG 的主要优势包括低栅极导通电阻、快速开关速度和低热阻,使其适用于高效率应用。此外,产品符合RoHS要求并不含卤素,满足环保需求。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛用于各种场合,如负载开关、直流/直流转换和电机驱动。具体应用中,用户应注意以下几点:
    - 负载开关:确保电路设计满足LP8615DT1AG的最大额定值。
    - 直流/直流转换:考虑到其低热阻特性,可以提高转换效率。
    - 电机驱动:建议使用合适的栅极驱动电路以优化性能。

    兼容性和支持


    LP8615DT1AG 可与其他标准电子元件和设备兼容。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括技术咨询和故障排除指导。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是几个常见的用户问题及解决方法:
    - 问题:产品过热
    - 解决办法:检查散热片的设计,增加散热片面积或改善散热路径。
    - 问题:电流过大
    - 解决办法:重新计算负载条件下的电流,确保不超过最大额定值。

    总结和推荐


    总体而言,LP8615DT1AG 是一款性能优越的P沟道MOSFET,特别适合高效率的应用场合。其低导通电阻、快速开关速度和低热阻使其在市场上具有很强的竞争力。鉴于其稳定可靠的性能和制造商的支持服务,我们强烈推荐使用这款产品。

LP8615DT1AG参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通用封装 DFN-3030-8B

LP8615DT1AG厂商介绍

假设LRC公司是一家高科技制造企业,主营产品分类如下:

1. 电子产品:包括智能设备、传感器和电子组件,应用于智能家居、工业自动化和医疗设备。

2. 机械设备:涵盖工业机器人、自动化生产线和精密机械,服务于制造业、物流和建筑行业。

3. 软件解决方案:提供企业资源规划(ERP)系统、客户关系管理(CRM)软件和数据分析工具,适用于各种规模的企业。

4. 新材料:研发和生产高性能塑料、复合材料和纳米材料,应用于****、汽车制造和电子产品。

LRC公司的优势可能包括:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系,确保产品可靠性和耐用性。
- 客户服务:提供定制化解决方案和卓越的售后服务,满足客户需求。
- 全球布局:在全球多个国家和地区设有分支机构,能够快速响应不同市场的需求。

LP8615DT1AG数据手册

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LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LRC/乐山无线电 LP8615DT1AG LP8615DT1AG数据手册

LP8615DT1AG封装设计

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