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LN2306ELT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个N沟道 30V 65mΩ 3.4mA SOT-23
供应商型号: LN2306ELT1G SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LN2306ELT1G

LN2306ELT1G概述

    LN2306ELT1G N-Channel 30V(D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    LN2306ELT1G 是一款N沟道30V(D-S)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由乐山无线电股份有限公司生产。这款MOSFET在电源管理和便携式设备中的负载开关应用中表现卓越。它具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适用于笔记本电脑电池管理系统及其他需要高效能的电力管理应用。

    2. 技术参数


    - 主要电气参数:
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 持续栅极-源极电压 (VGS): ±12V
    - 最大漏极电流 (ID): 3.4A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 12A
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 65mΩ @ VGS = 10V
    - 75mΩ @ VGS = 4.5V
    - 105mΩ @ VGS = 2.5V
    - 工作环境:
    - 环境温度 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, RΘJA): 140°C/W
    - 兼容性:
    - 尺寸: SOT23 (TO-236)
    - 符合RoHS要求,无卤素

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 这使得LN2306ELT1G能够有效降低功率损耗并提高整体效率。
    - 宽温度范围: 其-55°C到+150°C的工作温度范围使其适用于极端环境。
    - 高可靠性: 符合RoHS标准且无卤素,满足环保要求。
    - 热稳定性好: 较低的热阻保证了长时间稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 适用于笔记本电脑电池管理系统和便携式设备中的负载开关。
    - 使用建议:
    - 确保设计的电路板(如1英寸²,2盎司铜基板)符合热阻要求。
    - 在高电流应用中,需特别注意散热措施以避免过热损坏。


    5. 兼容性和支持


    - 封装形式: SOT23 (TO-236),适合各种电路板布局需求。
    - 客户支持: 厂商提供详细的电气特性和曲线图,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 温度过高导致MOSFET损坏。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,例如增加散热片或优化散热路径。
    - 问题: 导通电阻 (RDS(on)) 过高影响效率。
    - 解决方案: 确保栅极驱动电压满足最佳性能需求。

    7. 总结和推荐


    LN2306ELT1G 在电源管理和便携式设备负载开关应用中表现出色,具备低导通电阻和高可靠性。它的宽温度范围和良好热稳定性使得它能够在恶劣环境下稳定工作。我们强烈推荐使用LN2306ELT1G,特别是在需要高效能和长寿命的应用场合。

LN2306ELT1G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 3.4mA
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOT-23

LN2306ELT1G厂商介绍

假设LRC公司是一家高科技制造企业,主营产品分类如下:

1. 电子产品:包括智能设备、传感器和电子组件,应用于智能家居、工业自动化和医疗设备。

2. 机械设备:涵盖工业机器人、自动化生产线和精密机械,服务于制造业、物流和建筑行业。

3. 软件解决方案:提供企业资源规划(ERP)系统、客户关系管理(CRM)软件和数据分析工具,适用于各种规模的企业。

4. 新材料:研发和生产高性能塑料、复合材料和纳米材料,应用于****、汽车制造和电子产品。

LRC公司的优势可能包括:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系,确保产品可靠性和耐用性。
- 客户服务:提供定制化解决方案和卓越的售后服务,满足客户需求。
- 全球布局:在全球多个国家和地区设有分支机构,能够快速响应不同市场的需求。

LN2306ELT1G数据手册

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LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LRC/乐山无线电 LN2306ELT1G LN2306ELT1G数据手册

LN2306ELT1G封装设计

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