处理中...

首页  >  产品百科  >  LN2330ELT1G

LN2330ELT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个N沟道 20V 6.5mA SOT-23E
供应商型号: LN2330ELT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LN2330ELT1G

LN2330ELT1G概述

    LN2330ELT1G N-Channel 20V Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    LN2330ELT1G 是一款由乐山无线电股份有限公司(Leshan Radio Company, Ltd.)生产的 N 沟道增强型 20V 功率 MOSFET,适用于电池管理及电源管理功能。该器件具备低栅极阈值电压、快速开关速度以及静电放电保护(Gate-Source ESD Protected)等特点,适用于多种高性能应用场合。
    - 产品类型:N 沟道增强型 20V MOSFET
    - 主要功能:提供高效的功率控制、快速切换能力,确保优异的能耗效率
    - 应用领域:电池管理系统、DC-DC 转换器、通用功率管理电路

    2. 技术参数


    以下为该器件的主要技术规格和关键性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 备注 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | V | 20 |
    | 漏源导通电阻(VGS=4.5V, ID=6.5A) | RDS(ON) | mΩ 30
    | 连续漏极电流(Ta=25°C) | ID | A 6.5
    | 栅极泄漏电流(VDS=0V) | IGSS | µA ±10
    | 栅极-源极电容 | Ciss | pF 9
    | 热阻抗(Junction-to-Ambient) | RΘJA | °C/W 140 1-in²铜板参考 |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | °C | -55 +150
    此外,该器件通过了符合 RoHS 的无卤素材料认证,环保安全且具有良好的可靠性。

    3. 产品特点和优势


    LN2330ELT1G 集成了多项创新设计,使其在市场上具备显著的竞争优势:
    - 低栅极阈值电压:适合低压驱动场景,简化电路设计,减少功耗。
    - 快速开关速度:减少开关损耗,提升整体能效。
    - 静电放电保护:有效防止因静电损害引起的设备失效,提升可靠性。
    - 高功率密度:通过优化封装结构,减小体积并保持高性能输出。
    这些特点使其成为电池管理和电源管理应用的理想选择,特别是在需要低功耗和高效能的场景中表现尤为突出。

    4. 应用案例和使用建议


    根据手册内容,LN2330ELT1G 的典型应用场景包括:
    - 电池管理:为锂电池充电和放电电路提供高效功率转换。
    - DC-DC 转换器:实现稳定的电压输出,满足复杂负载需求。
    - 功率放大器:用于高效电源管理以延长设备运行时间。
    使用建议:
    1. 在电池管理应用中,建议配合高效的散热设计以确保长期稳定运行。
    2. 在高频率开关电路中,注意栅极电荷管理以避免过高的开关损耗。
    3. 使用标准的 SOT23 封装时,确保引脚布局合理以减少寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:LN2330ELT1G 的 SOT23 封装与行业主流标准兼容,可直接替换同类产品。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和技术支持服务,确保客户顺利部署。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    1. 问题:启动后设备无法正常工作。
    原因:可能是接线错误或栅极输入电压不足。
    解决办法:检查接线是否正确,确认驱动电压是否达到额定要求(VGS≥2V)。

    2. 问题:温度过高导致性能下降。
    原因:未安装适当的散热措施。
    解决办法:增加散热片或优化 PCB 布局以降低热阻。

    7. 总结和推荐


    LN2330ELT1G 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,凭借其低功耗、快速开关速度和良好的静电保护性能,在电池管理及电源管理领域表现出色。
    推荐使用场景:电池管理系统、DC-DC 转换器、便携式设备电源管理。
    综合来看,LN2330ELT1G 是一款值得推荐的高性能功率器件,尤其适合对低功耗和高效率有严格要求的应用场合。
    结论:推荐使用 LN2330ELT1G!

LN2330ELT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 6.5mA
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 SOT-23E

LN2330ELT1G厂商介绍

假设LRC公司是一家高科技制造企业,主营产品分类如下:

1. 电子产品:包括智能设备、传感器和电子组件,应用于智能家居、工业自动化和医疗设备。

2. 机械设备:涵盖工业机器人、自动化生产线和精密机械,服务于制造业、物流和建筑行业。

3. 软件解决方案:提供企业资源规划(ERP)系统、客户关系管理(CRM)软件和数据分析工具,适用于各种规模的企业。

4. 新材料:研发和生产高性能塑料、复合材料和纳米材料,应用于****、汽车制造和电子产品。

LRC公司的优势可能包括:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系,确保产品可靠性和耐用性。
- 客户服务:提供定制化解决方案和卓越的售后服务,满足客户需求。
- 全球布局:在全球多个国家和地区设有分支机构,能够快速响应不同市场的需求。

LN2330ELT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LRC/乐山无线电 LN2330ELT1G LN2330ELT1G数据手册

LN2330ELT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.2338
30000+ ¥ 0.2268
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 701.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504