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IRF7204TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Ta) 2V@ 50µA 11nC@ 10 V 1个P沟道 30V 55mΩ@ 5.1A,10V 520pF@15V SOP-8 贴片安装
供应商型号: IRF7204TR SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) IRF7204TR

IRF7204TR概述


    产品简介


    IRF7204TR 是一款单通道P沟道增强模式功率场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款MOSFET具有出色的RDS(on)(导通电阻)、低栅极电荷和低栅极电阻,特别适合在高电压和低电阻环境中使用。主要应用于开关电源(SMPS)、笔记本电脑电源管理、电池供电系统、DC/DC转换器、DC/AC转换器及负载开关等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | -30 | -33 | - | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | -1 | μA |
    | 门体漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | -2.0 | - | -1 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | 43 | 55 | - | mΩ |
    | 前向跨导 | gFS | 4 | 7 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 520 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 130 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 70 | - | pF |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 7 | - | nS |
    | 开启上升时间 | tr | - | 13 | - | nS |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - | 14 | - | nS |
    | 关闭下降时间 | tf | - | 9 | - | nS |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 11 | - | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 2.2 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 3 | - | nC |
    | 二极管正向电压 | VSD | - | - | -1.2 | V |

    产品特点和优势


    - 优秀的RDS(on):其导通电阻非常低,保证了在高电压环境下的高效运行。
    - 低栅极电荷和低栅极电阻:有助于提高电路的整体效率,减少开关损耗。
    - 宽广的工作温度范围:可承受从-55°C到150°C的极端温度,适用于多种复杂环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源(SMPS):用于实现高效的电源转换,降低能耗。
    - 笔记本电脑电源管理:确保设备的电源管理模块稳定运行。
    - 电池供电系统:为需要长寿命且高性能的应用提供持久稳定的电力供应。
    - DC/DC转换器和DC/AC转换器:提供高效且可靠的直流电转换。
    - 负载开关:实现快速且准确的电路控制。
    使用建议
    - 在设计电路时,考虑到该MOSFET在高电压环境下的应用,确保电路设计能够充分散热,以避免过热导致的损坏。
    - 结合具体应用场景选择合适的电路布局,例如在高频应用中,可以考虑使用较低电容的电路设计,以减少电容对系统性能的影响。

    兼容性和支持


    该产品采用SOP-8封装,支持自动贴片机操作,与同类产品有很好的互换性。制造商UTD Semiconductor Co., Limited 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时有效的解决。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET温度过高。
    解决方法:检查散热设计是否合理,增加散热片或者改进散热路径。

    2. 问题:电路运行不稳定。
    解决方法:检查电源输入是否符合要求,调整栅极电阻和电容值,优化电路布局。

    总结和推荐


    IRF7204TR作为一款高效率、低损耗的P沟道增强模式MOSFET,在开关电源、笔记本电脑电源管理和电池供电系统等领域具有广泛的应用前景。其优越的性能指标和广泛的适用范围使其成为众多工程师的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高效、可靠电力转换解决方案的应用场合。

IRF7204TR参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 5.1A,10V
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 50µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 520pF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 11nC@ 10 V
最大功率耗散 2.5W(Ta)
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IRF7204TR厂商介绍

UMW公司是马来西亚的一家领先的工业产品分销商,拥有广泛的产品线和专业的技术支持。UMW主营产品主要分为以下几类:

1. 工业自动化:提供各种传感器、控制器、驱动器等,广泛应用于制造业、自动化生产线等领域。
2. 流体控制:包括各种阀门、泵等流体控制设备,服务于石油化工、水处理等行业。
3. 动力传动:提供电机、减速机等动力传动设备,适用于机械制造、物流输送系统等。
4. 电气产品:包括各种电气开关、电缆等,应用于建筑、基础设施建设等领域。

UMW的优势在于:

- 品牌合作:与多家国际知名品牌建立合作关系,提供高质量的产品。
- 技术支持:拥有专业的技术支持团队,为客户提供解决方案和售后服务。
- 供应链管理:强大的供应链管理能力,确保产品供应的稳定性和及时性。
- 市场覆盖:广泛的市场覆盖,服务多个行业和领域,满足不同客户的需求。

UMW公司通过其多元化的产品线和专业的服务,为客户提供一站式的工业产品解决方案。

IRF7204TR数据手册

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UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) UMW/友台半导体 IRF7204TR IRF7204TR数据手册

IRF7204TR封装设计

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